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汽車智能互聯(lián)連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高...

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公司介紹
 傾佳電子-專業(yè)功率半導體(IGBT單管,IGBT模塊,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN)以及新能源汽車連接器分銷商,致力于服務中國工業(yè)電源及新能源汽車制造商。相較傳統(tǒng)汽車,新能源汽車在電驅動單元、電氣設備的數(shù)量上都有較大的增加,內部動力電流及信息電流錯綜復雜,特別是高電流、高電壓的電驅動系統(tǒng)對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出更高的要求,這意味著新能源汽車對連接器產品需求量及質量要求都將大幅提升。在新能源汽車中,高壓連接器是極其重要的元部件,整車、充電設施上均有應用。整車上高壓連接器主要應用場景有:DC、水暖PTC充電機、風暖PTC、直流充電口、動力電機、高壓線束、維修開關、逆變器、動力電池、高壓箱、電動空調、交流充電口等。在電動汽車中,碳化硅功率器件的應用主要為兩個方向,一個用于電機驅動逆變器(電機控制器),另一個用于車載電源系統(tǒng),主要包括:電源轉換系統(tǒng)(車載DC/DC)、車載充電系統(tǒng)(OBC)、車載空調系統(tǒng)(PTC和空壓機)等方面。
脫碳已經成為全球的趨勢,在我國雙碳政策下,也即“碳達峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏發(fā)電逐漸成為矚目的焦點,傾佳電子持續(xù)提供高品質功率半導體新能源汽車連接器,在新能源汽車電控,充電樁,汽車OBC,新能源發(fā)電,工商業(yè)儲能變流器,電動汽車電機主驅,光伏逆變器,儲能變流器PCS,工業(yè)電源等領域與客戶深入合作,持續(xù)服務客戶的供應鏈及新產品開發(fā),全力支持中國新能源汽車及電力電子工業(yè)發(fā)展!
 
近年來,傾佳電子-著力推廣國產碳化硅SiC功率器件,國產SiC-MOSFET,國產SiC-MOSFET功率模塊,國產氮化鎵GaN HEMT以及配套的隔離驅動IC,自舉驅動IC,不斷在高壓汽車電驅系統(tǒng)、高壓快充樁、消費電子適配器,數(shù)據(jù)中心、通訊基站電源、新型電力系統(tǒng)等領域拓展市場。除了車載應用,SiC碳化硅的替代IGBT方案開始在工業(yè)的UPS系統(tǒng)(不間斷電源)、軌道交通等領域推出。傾佳電子-專業(yè)功率半導體(IGBT單管,IGBT模塊,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN)以及新能源汽車連接器分銷的元器件在電力電子領域,在功率器件方面發(fā)揮重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比導通阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是碳化硅MOSFET技術的主要發(fā)展趨勢,體現(xiàn)在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高結溫特性、高頻特性要求,也對現(xiàn)有封裝技術提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN在導通損耗和開關損耗方面的卓越性能,可以大大降低電力電子方面應用的能耗。
 
隨著汽車越來越智能化,對于連接器在未來的智能汽車上,絕不會僅僅作為一個電連接點進行傳輸,這個和傳統(tǒng)汽車會有非常本質上的區(qū)別, 未來的連接器有可能會變成模塊化,其功能會隨著不同的汽車部位應用場景,功能也會有所不同;同時智能駕駛的出現(xiàn)會讓連接對于傳輸?shù)姆€(wěn)定性變成強制條件,對于電性能的可靠性,以及其他性能都會提到更高一個要求等級;傾佳電子-專業(yè)代理的汽車智能互聯(lián)連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN引導電源技術轉向新的高功率密度和效率、高耐熱性能的解決方案,以減少導通損耗和碳排放。在整個能源轉換鏈中,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN的節(jié)能潛力可為實現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標作出貢獻。碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在很多電力電子應用場景中為能效提升作出貢獻。
 
智能駕駛系統(tǒng)需要將超聲波雷達、毫米波雷達、攝像頭、激光雷達、網(wǎng)關、VCU、天線、GPS、5G 通信等進行互連。隨著高級別ADAS的滲透率快速提升,車載傳感器用量增加,數(shù)據(jù)傳輸要求(高速高頻大數(shù)據(jù)量)相應提高,智能網(wǎng)聯(lián)連接器使用量也隨之增長。換電連接器有望成為行業(yè)標配,一方面因為換電模式電動車滲透率的提升,另一方面對于非換電模式的電動車廠家采用換電方案將實現(xiàn)車電分離,有利于后期電池的升級、維護和回收。未來大量電動車電池淘汰后,有望進入儲能領域進行二次利用,建立統(tǒng)一的連接器接口標準成為行業(yè)的重點。非補能形式的換電方案的車型將越來越多,未來成為行業(yè)標配。
 
為了提高補能效率,大功率快充成為各車企的研發(fā)重點。相較于400V架構,切換800V架構能夠使充電時間減少一半。從400V增至 800V對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出了更高要求,其在機械性能、電氣性能、環(huán)境性能三方面均將持續(xù)提升。升壓后,高壓連接器將重新選型,增加大功率快充接口及400V到800V的轉化接口,帶動高壓連接器單車價值量上升。要構建800V高壓平臺,碳化硅功率器件是關鍵。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅具有出色的耐高壓性能,并能有效提高系統(tǒng)的整體效率,達到5%至10%的增幅——即同等電池容量,配備碳化硅器件的汽車續(xù)航里程可提高5%到10%。此外,同等性能的碳化硅器件尺寸約為硅器件的1/10,因而它還能降低電驅系統(tǒng)的體積和重量,從而釋放更多車輛內部空間。盡管 SiC MOSFET 本身成本較高,但會看到整個電機驅動器系統(tǒng)的價格下降(通過減少布線、無源元件、熱管理等),并且與 Si IGBT 系統(tǒng)相比總體上可能更便宜。這種成本節(jié)省可能需要在兩個應用系統(tǒng)之間進行復雜的設計和成本研究分析,但可能會提高效率并節(jié)省成本。
 
新能源汽車三電內部動力電流及信息電流錯綜復雜,同時又因汽車領域特殊的安全性要求,對連接器性能側重點為高電壓、大電流、抗干擾等電氣性能,并且需要具備機械壽命長、抗振動沖擊等長期處于動態(tài)工作環(huán)境中的良好機械性能。
 
基于 SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統(tǒng)能夠顯著延長電動汽車續(xù)航里程并將充電時間縮短一半。在全球汽車電動化的浪潮下,汽車半導體領域的功率電子器件作為汽車電動化的核心部件,成為了車企和電機控制器Tire 1企業(yè)關注的熱點。車用功率模塊已從硅基IGBT為主的時代,開始逐步進入以碳化硅MOSFET為核心的發(fā)展階段。在電機控制器中用碳化硅MOS替換硅基IGBT后,會獲得電機控制器的效率的提升,NEDC工況下,對電池續(xù)航的貢獻提升在3%-8%之間,所以電控應用對碳化硅器件的需求最為迫切。同時,在國內新能源汽車市場大力推進適應高壓快充技術的高壓平臺上,硅基IGBT應對起來就非常吃力,取而代之的是碳化硅MOS。這更加確定了碳化硅功率器件在下一代電控系統(tǒng)中的核心和不可替代性地位。目前新的設計SiC模塊的設計方向是結構緊湊更緊湊,通過采用雙面銀燒結和銅線鍵合技術,以及氮化硅高性能AMB陶瓷板、用于液冷型銅基PinFin板、多信號監(jiān)控的感應端子(焊接、壓接兼容)設計,努力往低損耗、高阻斷電壓、低導通電阻、高電流密度、高可靠性等方向努力。通過好的設計和先進的工藝技術確保碳化硅MOSFET性能優(yōu)勢在設備中得到最大程度發(fā)揮。
 
公司檔案
公司名稱: 深圳傾佳電子有限公司 公司類型: 企業(yè)單位 (服務商)
所 在 地: 中國/廣東省 公司規(guī)模:
注冊資本: 未填寫 注冊年份: 2018
資料認證:  
經營模式: 服務商
經營范圍: 汽車智能互聯(lián)連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,英飛凌MOSFET,國產碳化硅(SiC)MOSFET,英飛凌IPM模塊,英飛凌IGBT單管,英飛凌IGBT單管,英飛凌IGBT模塊,賽米控IGBT模塊,丹佛斯IGBT模塊,三菱IPM模塊,富士IGBT單管,富士IGBT模塊,三菱DIP-IPM模塊,基本SiC碳化硅MOSFET,電力電子,基本汽車級碳化硅(SiC)模塊,國產氮化鎵GaN,隔離驅動IC
銷售的產品: 汽車智能互聯(lián)連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,英飛凌MOSFET,國產碳化硅(SiC)MOSFET,英飛凌IPM模塊,英飛凌IGBT單管,英飛凌IGBT單管,英飛凌IGBT模塊,賽米控IGBT模塊,丹佛斯IGBT模塊,三菱IPM模塊,富士IGBT單管,富士IGBT模塊,三菱DIP-IPM模塊,基本SiC碳化硅MOSFET,電力電子,基本汽車級碳化硅(SiC)模塊,國產氮化鎵GaN,隔離驅動IC
采購的產品: 汽車智能互聯(lián)連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,英飛凌MOSFET,國產碳化硅(SiC)MOSFET,英飛凌IPM模塊,英飛凌IGBT單管,英飛凌IGBT單管,英飛凌IGBT模塊,賽米控IGBT模塊,丹佛斯IGBT模塊,三菱IPM模塊,富士IGBT單管,富士IGBT模塊,三菱DIP-IPM模塊,基本SiC碳化硅MOSFET,電力電子,基本汽車級碳化硅(SiC)模塊,國產氮化鎵GaN,隔離驅動IC
主營行業(yè):
半導體加工設備