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單晶硅片賽維LDK

我們於2009年3月開(kāi)始生產(chǎn)單晶硅片。我們研發(fā)出了一系列加工工藝來(lái)縮減生產(chǎn)流程中每個(gè)環(huán)節(jié)的生產(chǎn)成本，其中包括提高多晶硅回收利用率、生產(chǎn)尺寸更大的硅錠、增加硅片尺寸、減小硅片厚度、循環(huán)利用料漿和增加產(chǎn)能等等。

賽維LDK太陽(yáng)能采用最先進(jìn)的大容量單晶提拉設(shè)備，不僅使生產(chǎn)極具成本效益，而且可達(dá)到業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。通過(guò)嚴(yán)格的檢查標(biāo)準(zhǔn)之后，利用鋼絲方邊刨床對(duì)單晶棒進(jìn)行方形成型處理。然后，利用高精度切割技術(shù)，通過(guò)鋼絲鋸（使用鋼絲和由碳化硅和乙二醇構(gòu)成的料漿）將方形硅錠切割成硅片。完成切割后，通過(guò)專(zhuān)有清洗工藝來(lái)清洗和干燥硅片，并進(jìn)行檢查以確保達(dá)到客戶(hù)嚴(yán)格的特性和表面質(zhì)量要求。最后，檢查硅片質(zhì)量，封裝成箱并發(fā)往客戶(hù)或本公司電池生產(chǎn)廠(chǎng)。

技術(shù)規(guī)格

單晶硅片
156 mm x 156 mm

一般特征	參數(shù)
產(chǎn)品	單晶硅片
晶體生長(zhǎng)方法	CZ
導(dǎo)電類(lèi)型	P型
摻雜劑	硼
電阻率	1-3, 3-6 Ω.cm
氧含量	≤ 1 × 10¹⁸atoms/cm³
碳含量	≤ 1 × 10¹⁷atoms/cm³
結(jié)構(gòu)特征	參數(shù)
寬度	156.0 ± 0.5 mm
直徑	200.0 ± 0.5 mm
晶向	<100>
厚度	180 ± 20 μm; 200 ± 20 μm
機(jī)械特性	參數(shù)
總厚度變化	≤ 40 μm
彎曲度	≤ 70 μm
表面	無(wú)微晶結(jié)構(gòu)
鋸痕	≤ 15 μm

技術(shù)規(guī)格

單晶硅片
125 mm x 125 mm

一般特征	參數(shù)
產(chǎn)品	單晶硅片
晶體生長(zhǎng)方法	CZ
導(dǎo)電類(lèi)型	P 型
摻雜劑	硼
電阻率	1-3, 3-6 Ω.cm
氧含量	1 × 10¹⁸atoms/cm³
碳含量	1 × 10¹⁷atoms/cm³
結(jié)構(gòu)特征	參數(shù)
寬度	125.0 ± 0.5 mm
直徑	150.0 ± 0.5 mm; 165.0 ± 0.5 mm; 200 ± 0.5 mm
晶向	<100>
厚度	180 ± 20 μm; 200 ± 20 μm
機(jī)械特性	特性
總厚度變化	≤ 40 μm
彎曲度	≤ 70 μm
表面	無(wú)微晶結(jié)構(gòu)
鋸痕	≤ 15 μm

單晶硅片賽維LDK

應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

產(chǎn)品品牌

庫(kù) 存：

產(chǎn) 地：

數(shù) 量：

價(jià) 格：

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技術(shù)規(guī)格

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