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當(dāng)前位置: 首頁 » 耗材館 » 半導(dǎo)體原材料 » 高純原料 » 其他原材料 »供應(yīng)優(yōu)質(zhì)4N 5N 6N高純硒 硒粉 硒塊 硒丸
    包郵 關(guān)注:367

    供應(yīng)優(yōu)質(zhì)4N 5N 6N高純硒 硒粉 硒塊 硒丸

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè):

    半導(dǎo)體原材料-高純原料-其他原材料

    產(chǎn)品品牌

    四川高純

    規(guī)格型號:

    錠、粉末、塊、丸

    發(fā)貨期限:

    3天內(nèi)天

    庫       存:

    10000

    產(chǎn)       地:

    中國-四川省

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價       格:

    250.00
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    品牌:四川高純

    型號:錠、粉末、塊、丸

    所屬系列:半導(dǎo)體原材料-高純原料-其他原材料

     

    供應(yīng)優(yōu)質(zhì)4N 5N 6N高純硒  硒粉  硒塊 硒丸

    1基本描述

    化學(xué)式:Se

    Cas No7782-49-2

    原子量:78.96

    密度:value="4.81" unitname="g" w:st="on">4.81 g/cm3

    熔點:value="221" unitname="℃" w:st="on">221 

    沸點:value="685" unitname="℃" w:st="on">685 

    2.純度

    5N ,純度99.999%以上。

    3.規(guī)格

    塊。

    4 包裝

    真空袋裝或者真空瓶裝,也可根據(jù)客戶要求包裝。

    5.質(zhì)檢

    根據(jù)相應(yīng)檢測報告。

    6.用途

    主要用于制備硒鼓材料,光電材料,靜電攝影和其它光學(xué)儀器材料,是制作各種金屬硒化物,化合物半導(dǎo)體的基礎(chǔ)材料。

    四川高純材料科技有限公司產(chǎn)品目錄

    單質(zhì)

    4N-7NTe

    4N-6NBi

    2.6N-6NSb

    4N-6NSe

    4N-7NIn

    4N、5NSn

    5N-7NZn

    4N-7NCd

    4N-6NS

    4N-6NAl

    4N-7NGa

    4N、5NPb

    3N-6NCu

    5N-7NGe

    3.5NCo

    碲化物(99.99%、99.999%

    碲化鎘CdTe

    碲化鋅ZnTe

    碲化錫SnTe

    碲化鉛PbTe

    碲化銅CuTe

    碲化亞銅Cu2Te

    碲化銻Sb2Te3

    碲化鍺GeTe

    三碲化二鍺Ge2Te3

    三碲化二鉍Bi2Te3

    三碲化二砷As2Te3

    碲化鎵GaTe

    三碲化二鎵Ga2Te3

      碲化銦InTe

    三碲化二銦In2Te3

    碲銻鉍BiSbTe

    硒化物(99.99%、99.999%

    硒化鎘CdSe

    硒化鋅ZnSe

    三硒化二銻Sb2Se3

    硒化鉛PbSe

    三硒化二鉍Bi2Se3

    硒化銅CuSe

    硒化亞銅Cu2Se

    硒化銦InSe

    三硒化二銦In2Se3

    硒化錫SnSe

    二硒化錫SnSe2

    硒化鍺GeSe

    二硒化鍺GeSe2

    硒化鎵GaSe

    三硒化二鎵Ga2Se3

    三硒化二砷As2Se3

    銻化物(99.99%99.999%

    銻化鎵GaSb

      銻化鉛PbSb

    銻化銦InSb 

    銻化鉍BiSb

    銻化鋅Zn3Sb2

    銻化鎘CdSb

    銻化銅Cu3Sb

    銻化錫Sn3Sb4

    硫化物(99.99%99.999%

    硫化鎘CdS

    硫化銅CuS

    三硫化二鎵Ga2S3

    硫化鍺GeS

    二硫化鍺GeS2

    三硫化二銦In2S3

    二硫化錫SnS2

    三硫化二鉍Bi2S3

    氧化物(99.99%、99.999%

    二氧化碲TeO2

    三氧化二鎵Ga2O3

    三氧化二銦In2O3

    三氧化二鉍Bi2O3

     

     

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