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    高低溫系列探針臺 北京美亞先

    應(yīng)用于半導體行業(yè):

    半導體測試設(shè)備-電學性能測試-手動探針臺

    產(chǎn)品品牌

    北京美亞先

    庫       存:

    100

    產(chǎn)       地:

    中國-上海市

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價       格:

    面議
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    品牌:北京美亞先

    型號:

    所屬系列:半導體測試設(shè)備-電學性能測試-手動探針臺

    高低溫系列探針臺 北京美亞先

    在真空環(huán)境下,探針臺有兩種應(yīng)用:
    1.       超低溫情況下:
    由于晶圓在超低溫情況下進行探測,水氣將會出現(xiàn)并且將會凍結(jié)晶圓。水氣將會影響測量,導致測量失敗。真空倉中的水氣將通過真空泵排出,真空泵必須具備長時間測量的要求。
     
    2.       高溫情況下:
    當晶圓加熱超過300攝氏度, 400攝氏度, 500攝氏度或者更高溫度時,會發(fā)生很強烈的氧化。溫度越高,越加大硅片表面的氧化,氧化將使晶圓降低電學性,物理性和機械性。真空倉中的氧氣通過真空泵來排出。真空泵必須能夠保持長時間的測量要求。
    由于卡盤將被熱量所控制,應(yīng)用于超低溫和高溫的環(huán)境,在晶圓上探針由于晶圓的收縮和膨脹,將需要一定的改變位置。因此,一些探針將需要通過真空倉之外的探針座的三軸控制旋鈕重新定位。外部的機動探針座可通過拉桿控制系統(tǒng)輕松地重新定位真空倉中的探針。
    特點:
       三種溫度范圍可選擇:
    77K—480K  (-196℃—200℃)
    77K—780K  (-196℃—500℃)
    77K—1080K (-196℃—800℃)
       所有框架采用焊接以保證堅固的結(jié)構(gòu)
       通過外置探針座來控制探針重新定位
       橋型結(jié)構(gòu)顯微鏡以方便打開真空倉
       顯微鏡可通過鏡臺控制精確地移動,X-Y軸移動范圍 1英寸—1英寸
       可升級到6個探針座
       雙屏蔽chuck高低溫時達到10pA精度
       可選擇防震桌
       可選擇高真空倉
     
     
    詳細說明:
       卡盤直徑40mm
       溫度的精度為0.1度
       液氮瓶50升
       探針座X-Y-Z三軸移動范圍:25mmx25mmx25mm,精度10微米
       顯微鏡X-Y軸移動范圍:1英寸x1英寸
      連續(xù)變焦:0.8X—­5X 
      目鏡:20X
      總放大倍數(shù):16X—100X
     150W燈源箱
      雙分支鵝頸管燈源
    規(guī)格:
       尺寸:1300mm長x1100mm寬x1500mm高
       重量:300Kg
     
    配置:
       電源:220V、60Hz、1500W
       液氮:50升
       氮氣罐
     
    操作說明:
    1.    溫度控制單元:
    當需要溫度達到室溫以下時,卡盤需要通過液氮來降溫以達到溫度低于事先設(shè)置的溫度。比例積分微(PID)分控制器可以準確的控制溫度來加熱卡盤中的熱敏器件。
     
    2.    液氮單元
    氮氣是必須必備的,通過氮氣加壓真空瓶來推動液氮的流出,液氮的容量可以通過氮氣的壓強、液氮的進氣閥和出氣閥來控制。
     
    3.    真空倉單元
    真空倉可通過真空泵產(chǎn)生10-3 托的壓強提供給超低溫的應(yīng)用;
    BNC母接頭用來連接探測設(shè)備的信號裝置;
    真空泵可提供排氣過濾作用,以避免污染客戶的環(huán)境;
     
    4.    探針座單元
    所有探針座都在真空倉外設(shè)置,這將幫助工程師在真空組織下進行探測時不用排出真空倉內(nèi)的氣體。特別是,當溫度降低的時候,晶圓開始收縮,探針已經(jīng)離開需要探測的測試樣品,工程師需要重新設(shè)置探針,將探針扎到測試樣品上。
     
    5.    顯微鏡單元:
    顯微鏡可以通過橋梁結(jié)構(gòu)移動到旁邊,以方便打開真空倉的蓋子。顯微鏡可以通過真空倉上面得窗口觀察,
    燈光可以通過階梯式旋鈕控制亮度,雙分支鵝頸式光纖引導源可以用于定位及分離目標。

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