Ca（OH）2晶體
使用水熱合成技術(shù)獲得Ca（OH）2晶體。
產(chǎn)品概要：
l 空間群：P-3m1
l 分層：是/可剝離到單層
l 帶隙：?4.0 eV
l 純度：半導(dǎo)體級（5.5N）99.9995％
l 生長技術(shù)：氣相傳輸 - 持續(xù)時間：2個月
l 樣品尺寸：?5 mm
Mg(OH)? 晶體
使用水熱合成技術(shù)獲得Mg(OH)? 晶體。
產(chǎn)品概要：
l 空間群：P-3m1
l 分層：是/可剝離到單層
l 帶隙：?4.0 eV
l 純度：半導(dǎo)體級（6N）99.9999％
l 生長技術(shù)：在45 MPa壓力下利用水熱合成技術(shù)歷經(jīng)1.5個月而成
l 樣品尺寸：?10 mm
h-BN粉末
經(jīng)濟(jì)的剝離解決方案是h-BN。 h-BN粉末（見圖），可使用多次（+10000次）并剝離到任意襯底上。其含有的小微晶用于常規(guī)剝離以及液相剝離。
hBN薄片具有2000-10000個缺陷/單胞，拉曼光譜顯示半峰高寬（FWHM）大于6-7cm
-1，與文獻(xiàn)中公布的數(shù)據(jù)相當(dāng)吻合。
h-BN晶體
h-BN晶體尺寸可達(dá)到2mm，在二維材料領(lǐng)域視為黃金標(biāo)準(zhǔn)。無缺陷的h-BN薄片至今唯一可商業(yè)化的半絕緣二維材料，可用于制作高性能二維電子和光子器件的絕緣層材料
六方氮化硼（h-BN）單晶是理想二維襯底材料。其拉曼光譜顯示在1566cm -1處的半峰高寬（FWHM）小于5cm -1，顯示出其高度結(jié)晶性。帶隙為5.2 eV，被認(rèn)為是寬帶隙半導(dǎo)體/絕緣體。具有化學(xué)惰性，原子平面。
應(yīng)用：
l 電子產(chǎn)品
l 傳感器 - 探測器
l STM - AFM應(yīng)用
l 超低摩擦研究（摩擦學(xué)）
l 材料科學(xué)與半導(dǎo)體研究
云母片
MICA Ca
產(chǎn)品描述
化學(xué)式已經(jīng)調(diào)整的層狀云母族的成員，材料含有豐富的K，Mg和Fe，賦予其理想的電導(dǎo)率和帶電表面（化學(xué)式確認(rèn)為Al 2 Ca（AlSi）2O10（OH）2）。 該產(chǎn)品可用水熱合成法在1個月內(nèi)合成。 完全按c晶格方向剝離。產(chǎn)品純度為99.9998％，基于吸收測量，子帶邊緣出現(xiàn)在4.8 eV。晶體對稱性為C 2 / m，Cm（單斜晶）的層狀材料。晶體尺寸為1cm以上，可保存多年。
MICA Ca/Mg
產(chǎn)品描述
化學(xué)式已經(jīng)調(diào)整的層狀云母族的成員，材料含有豐富的Ca，Mg，賦予其理想的電導(dǎo)率和帶電表面（化學(xué)式確認(rèn)為Ca（Al，Mg）3（SiAl3）O10（OH）2）。 該產(chǎn)品可用用水熱合成法在1個月內(nèi)合成。 沿c晶格方向排列為層狀結(jié)構(gòu)，易剝離。產(chǎn)品純度為99.9998％，基于吸收測量，子帶邊緣出現(xiàn)在3.5 eV。晶體對稱性為C 2 / m，Cm（單斜晶）的層狀材料。晶體尺寸為1cm以上，可保存多年。
MICA K/Li
產(chǎn)品描述
化學(xué)式已經(jīng)調(diào)整的層狀云母族的成員，材料含有豐富的K和Li，賦予了其理想的電導(dǎo)率和帶電表面（化學(xué)式確認(rèn)為K（LiAlRb）3的（Al，Si）的4 O 10（F，OH））。 該產(chǎn)品用水熱合成法在1個月內(nèi)合成。產(chǎn)品純度為99.9998％，基于吸收測量，帶邊緣出現(xiàn)在4.1 eV。晶體對稱性為C 2 / m，Cm（單斜晶）的層狀材料，易剝離。晶體尺寸1cm以上，可保存多年。
MICA K/Mg/Fe
產(chǎn)品描述
化學(xué)式已經(jīng)調(diào)整的層狀云母族的成員，材料含有豐富的K，Mg和Fe，賦予了其理想的電導(dǎo)率和帶電表面（化學(xué)式確認(rèn)為K（FeMg）3Si3AlO10（OH）2）。 該產(chǎn)品用水熱合成法在1個月的合成。產(chǎn)品純度為99.9998％，基于吸收測量，帶邊緣出現(xiàn)在4.2 eV。晶體對稱性為C 2 / m，Cm（單斜晶）的層狀材料，易剝離。晶體尺寸為1cm以上，可保存多年。
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