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    包郵 關(guān)注:540

    單層二硫化鉬

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體原材料-其它材料-其它

    庫(kù)       存：

    10

    產(chǎn)       地：

    全國(guó)

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價(jià)       格：

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌：

    型號(hào)：

    所屬系列：半導(dǎo)體原材料-其它材料-其它


    產(chǎn)品描述
    單層二硫化鉬（1H-MoS?）薄片可從體相二硫化鉬（2H-MoS?）剝離到90nm熱氧化物上制得，尺寸為5μm-40μm。每個(gè)樣品至少含有一個(gè)單層MoS?，可使用給定的x和y坐標(biāo)找到。該產(chǎn)品附帶光學(xué)圖像和初步測(cè)試結(jié)果。單層MoS?在1.85-1.88eV處具有強(qiáng)烈的PL信號(hào)，具有0.04至0.1eV的FWHM，并且拉曼峰值位于386cm -1（E2g面內(nèi)）和404cm -1（Alg面外）模式）處。拉曼光譜表征：薄片在386cm-1（E2g-面內(nèi)）和404cm-1（A1g面外）有兩個(gè)突出的拉曼峰，半峰高寬（FWHM）小于5cm- 1。光致發(fā)光（PL）：體相二硫化鉬直接帶隙為1.85eV（670nm）。PL測(cè)量顯示該P(yáng)L峰位于1.85eV（670nm）處并聚友0.04-0.10eV 的 FWHM。光學(xué)顯微鏡圖像：在光學(xué)顯微鏡下檢查每個(gè)樣品，并記錄對(duì)應(yīng)的xy坐標(biāo)。
    可能的應(yīng)用：
    l 電子產(chǎn)品
    l 傳感器 - 探測(cè)器
    l 光學(xué)
    l STM - AFM應(yīng)用
    l 分子檢測(cè) - 結(jié)合
    l 超低摩擦研究
    l 材料科學(xué)與半導(dǎo)體研究

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