離子源類型

特征

應用

選項

Plasma Source等離子體源1:

NANO-MASTER

淋浴頭等離子體源SH-1000

• 射頻淋浴頭等離子體源
• 氣體通過射頻板
• 二級板將其他氣體引入等離子體
• 水冷卻
• 最大600瓦
• 可在0.02托至8托之間操作
• 8英寸有效區(qū)域
• ISO 250法蘭

Plasma Source等離子體源2:

空心陰極13.56 MHz射頻等離子體源

• 支持擴展功率和氣壓范圍操作
• 高濃度高活性高均勻性等離子體（1011 cm^-3）
• 兼容化學反應和非化學反應氣體
• 等幅波和脈沖電源
• 低污染

• 等離子增強化學氣相沉積
• 等離子聚合
• 等離子清潔
• 等離子刻蝕
• 表面改性

• 600mm線性等離子源
• 900mm線性等離子源

Plasma Source等離子體源3:

SLAN（SLot ANtenna）2.45 GHz微波等離子體源

• 高濃度等離子體
• 壓力范圍在10^-5毫巴到大氣壓
• 兼容化學反應和非化學反應氣體
• 低污染
• 電子回旋共振(ECR)或非電子回旋共振(non-ECR)操作
• 等幅波和脈沖電源

• 等離子增強化學氣相沉積
• 等離子聚合
• 等離子清潔
• 等離子刻蝕
• 表面改性
• 材料科學

• 直徑4厘米
• 直徑16厘米
• 直徑67厘米

Plasma Source等離子體源4:

電感耦合等離子體源ICP-P 200（13.56MHz）

• 200毫米直徑的平面線圈
• 擴展功率范圍在3-1200瓦
• 低能量擴散
• 高濃度高活性等離子體
• 低污染
• 等幅波和脈沖電源

• 等離子增強化學氣相沉積
• 等離子聚合
• 等離子清潔
• 等離子刻蝕
• 表面改性