LPCVD是用加熱的方式，在低壓條件下，使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴(kuò)散系數(shù)大，故可采用密集裝片方式來提高生產(chǎn)率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD用于淀積Poly-Si,Si3N4, SiO2, 磷硅玻璃，硼磷硅玻璃，非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路，電力電子，光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。
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工作溫度：350-1000
恒溫長度及精度：760mm
溫度梯度：0-30度可調(diào)
系統(tǒng)極限真空度：0.8Pa
工作壓力范圍：30PA-133PA可調(diào)
淀積膜種類：Si3N4 片內(nèi), 片間，批間<+-3%
淀積膜均勻性：Poiy-Si 片內(nèi), 片間，批間<+-3%
淀積膜均勻性：SiO2片內(nèi)<+-3%
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LPCVD是用加熱的方式，在低壓條件下，使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴(kuò)散系數(shù)大，故可采用密集裝片方式來提高生產(chǎn)率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD用于淀積Poly-Si,Si3N4, SiO2, 磷硅玻璃，硼磷硅玻璃，非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路，電力電子，光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。
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