應(yīng)用 
Peva-600E高精密Lift-Off電子束蒸鍍系統(tǒng)乃是針對(duì)功率IC元件、砷化鎵晶圓及次微米精密線寬要求的Lift-Off製程所設(shè)計(jì)的整批式量產(chǎn)設(shè)備，主要應(yīng)用在Schottky、MMIC、Ohmic、Gate之金屬化或ITO, SiO2制程，擁有獨(dú)特的蒸鍍反應(yīng)室設(shè)計(jì)，可以提供更高的產(chǎn)能（增加150%），與更為精準(zhǔn)、更可靠的制程需求。


特點(diǎn) 
AST聚昌科技Peva-600E系統(tǒng)的特點(diǎn)包括
(1) 因應(yīng)功率IC(Ti/Ni/Ag)及ⅢⅤ族砷化鎵晶圓各種Lift-Off制程需求（Ti、Au、Al、Ni、Cr、AuGe等），將Throw Distance拉高至＞26~32吋
(2) Run to Run膜厚均勻性可控制至＜±1%，以確保整體產(chǎn)品良率
(3) 最佳化蒸鍍腔及排氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)，可有效降低Cycle time，并提昇材料利用率（提高20%）
(4) 特殊設(shè)計(jì)的夾治具，針對(duì)薄片制程（<100微米），可靠度極佳
(5) 全自動(dòng)化、智慧型PC操控系統(tǒng)，提高全廠自動(dòng)化之需求。

Peva-600E并可加裝離子輔助鍍膜(IAD)設(shè)備，進(jìn)行低溫制程，應(yīng)用在Achromats、Fiber End Faces、Plastic Optics及MEMS wafers等精密鍍膜，同時(shí)擁有可提昇至200mm大尺寸、次微米、均勻性±1%之Lift-Off制程能力、更有效的材料利用率、更高的產(chǎn)能與可靠度及整體地板空間使用率大幅縮減的種種優(yōu)點(diǎn)。



規(guī)格 

Wafer Numbers / Sizes (108 -15) pcs / (2"- 6")for Planetary Domes 
E-Beam Power From 6 ~10 kW (Option) 
Ultimate Pressure < 1E-7 Torr 
based Pressure 2E-6 Torr within 30 mins 
Pumping System Cryopump + Rotary Vane Pump
Dry pump (Option) 
Automatic Control System Industrial HMI with Graphic User Interface
Fully PC Interface Operation(Option) 
Thickness/RateProcess Control RS-232 interfaced Real Time Controller including Sweeper, Indexer, Material, Tooling Factor, Soak, RampShutter. 
Substrate Temperature Control RT ~ 350℃ 
Non-Uniformity 5% for WIW, WTWRTR 
Power Requirement AC220V, 3 phase, 60 Hz, 80A, 
Dry N2 Requirement 1.2 kgw/cm2 
CDA Requirement 5 kgw/cm2 
Water Requirement 1.5 kgw/cm2, 20℃, 30 l/min 
Dimension (WxDxH) 1100 x 1200 x 1800 (mm) 
Weight 750 kgw