服務(wù)熱線
4001027270
IGBT模塊/IGBTModule
特性:
l 10μs短路承受時(shí)間
l 低飽和壓降:VCE (sat)= 2.20V @ IC= 15A , TC=25℃
l 低開關(guān)損耗
l 100% RBSOA 測試(2倍額定電流)
l 低雜散電感
l 無鉛模塊,符合RoHS要求
IGBT,逆變器/ IGBT,Inverter 最大額定值/ Maximum Rated Values |
||||
VCES |
集電極-發(fā)射機(jī)電壓 Collector-Emitter Blocking Voltage |
1200 |
V |
|
VGES |
門極-發(fā)射極電壓 Gate-Emitter Voltage |
±20 |
V |
|
IC |
集電極直流電流 Continuous Collector Current |
TC= 80℃, |
15 |
A |
TC= 25℃ |
30 |
A |
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ICM(1) |
集電極脈沖電流 Peak Collector Current Repetitive |
TJ= 150℃ |
30 |
A |
tSC |
短路承受時(shí)間 Short Circuit Withstand Time |
>10 |
μs |
|
PD |
單橋臂IGBT最大耗散功率 Maximum Power Dissipation (IGBT) |
TC= 25℃ TJmax=150℃ |
150 |
W |
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