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Low damage for nano structuring 納米結(jié)構(gòu)低損傷刻蝕
由于等離子的能量分布低，從而能實現(xiàn)低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕。
Simple high rate etching 簡單高速率刻蝕
MEMS制造工藝中，Si材料光滑側(cè)壁的高速高選擇比刻蝕，可以很容易的通過室溫或低溫工藝實現(xiàn)。

Inhouse ICP plasma source 內(nèi)置ICP等離子源
平板三螺旋天線（PTSA）等離子源是SENTECH獨有的高端等離子工藝系統(tǒng)。PTSA能產(chǎn)生高密度低能量分布的等離子體。在多種材料刻蝕工藝中都能實現(xiàn)高效率耦合及穩(wěn)定起輝

Dynamic temperature control 動態(tài)溫控
襯底溫度設(shè)定和工藝過程中的穩(wěn)定性是影響刻蝕工藝質(zhì)量的重要因素。ICP襯底電極結(jié)合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進行動態(tài)溫控，工藝溫度范圍為-150 °C 至 +400 °C。

SI500代表著研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域ICP工藝的領(lǐng)先水平。它具有基于動態(tài)溫控背電極、平板三螺旋天線等離子源和全自動控制的真空系統(tǒng)，SENTECH控制軟件應用遠程控制總線技術(shù)的以及友好的用戶界面。SI500可以進行最大200mm的晶圓片刻蝕。單片真空裝片裝置保證了工藝穩(wěn)定性，同時保證工藝可以靈活切換。
SI500刻蝕機可以實現(xiàn)多種材料的刻蝕，包括III-V族化合物半導體，電介質(zhì)，石英，玻璃，硅、硅化物和金屬。
SENTECH面向高靈活性和高產(chǎn)能的刻蝕和沉積系統(tǒng)提供各種級別的自動化裝置，從預真空系統(tǒng)到最大6端口的多工藝腔室裝置。SI500可以作為多腔室工藝模塊。

型號：SI500
ICP plasma etcher
With vacuum loadlock
For up to 200 mm wafers
Substrate temperature from -20 °C to 300 °C

型號：SI500C
Cryogenic ICP plasma etcher
With transfer chamber and vacuum loadlock
Substrate temperature from -150 °C to 400 °C

型號：SI500-RIE
RIE plasma etcher
Smart solution for He backside cooled etching
Capacitive coupled plasma source,
upgradable to ICP plasma source PTSA 200

型號：SI500-300
ICP plasma etcher
With vacuum loadlock
For 300 mm wafers

SENTECH SI500 電感耦合等離子體ICP干法刻蝕系統(tǒng)

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