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系統(tǒng)簡介
魯汶儀器生產(chǎn)的LCCP-6A型全自動RIE刻蝕機(jī)是一臺實驗室常備通用刻蝕機(jī)。
可通F基氣體刻蝕Si、SiO2、SiN、Poly-Si、Ge、W、Mo、Ta、石英等。還可通氧氣去除光刻膠和刻蝕有機(jī)膜。
刻蝕工藝全自動，軟件中包括刻蝕材料的推薦工藝菜單，操作簡單，重復(fù)性好，經(jīng)久耐用。
刻蝕線寬最小可達(dá)200nm。
刻蝕速率隨材料的不同而異，一般為100~500nm/min。
機(jī)器性能
1、刻蝕速率：100~500nm/min（由被刻蝕材料而定）。
2、刻蝕均勻性：≤±5%(6"片)。
標(biāo)準(zhǔn)機(jī)型主要配置
1、陽極氧化鋁腔室；
2、分子泵、機(jī)械泵高真空機(jī)組；
3、射頻電源帶自動匹配器；
4、數(shù)字真空計和壓力開關(guān)；
5、氣路系統(tǒng)、數(shù)字流量計標(biāo)配5套，可定制增減；
6、調(diào)壓閥、高閥、低閥；
7、帶觸摸屏集成工控計算機(jī)，有嚴(yán)格的檢漏、互鎖、報警等安全措施；
8、具有He背冷和水冷系統(tǒng)，可冷卻待加工基片。
案例分析
1. SiO2均勻性（圖1）
l 工藝條件：樣品尺寸 6英寸，CF4等刻蝕氣體
l 刻蝕時間35秒、70秒、120秒，通過薄膜納米孔徑分析儀和臺階儀分析均勻性分別為±2.4%、±2.6%和±1.7%。該參數(shù)優(yōu)于市場上大部分產(chǎn)品（業(yè)內(nèi)通常為±5%）。
2. Si3N4均勻性（圖2）
l 工藝條件：樣品尺寸 4英寸，CF4等刻蝕氣體
l 刻蝕時間40秒、70秒、140秒、280秒，通過薄膜納米孔徑分析儀和臺階儀分析均勻性分別為±2.1%、±2.3%和±1.3%和±2.0%。該參數(shù)優(yōu)于市場上大部分產(chǎn)品（業(yè)內(nèi)通常為±5%）。
3. 4寸Si均勻性（圖3）
l 工藝條件：CF4等刻蝕氣體
l 硅片測試時間為500秒和625秒，測試均勻性分別為±2.85%和±1.12%。該參數(shù)優(yōu)于市場上大部分產(chǎn)品（業(yè)內(nèi)通常為±5%）。
4. 6寸Si均勻性（圖4）
l 工藝條件：CF4等刻蝕氣體
l 硅片測試時間為300秒，測試均勻性分別為±2.99%。該參數(shù)優(yōu)于市場上大部分產(chǎn)品（業(yè)內(nèi)通常為±5%）。
1. SiN刻蝕陡直度（圖5、圖6）
l 工藝條件：CHF3和CF4等刻蝕氣體
l 刻蝕線條非常陡直。
2. SiO2刻蝕陡直度 (圖7、 圖8)
l 工藝條件：CHF3和CF4等刻蝕氣體
l 刻蝕線條非常陡直。
江蘇魯汶儀器有限公司是由比利時魯汶儀器、中科院微電子研究所等共同注資成立。公司總部位于江蘇省邳州市，在比利時設(shè)有研發(fā)中心及銷售部，在北京和俄羅斯設(shè)有銷售部。公司秉承“以創(chuàng)新為主導(dǎo)，客戶信賴為第一”的宗旨，倡導(dǎo)精益求精的工匠精神，為客戶提供性能卓越的半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)、材料檢測等精密設(shè)備及配套技術(shù)服務(wù)。
公司旨在研發(fā)與生產(chǎn)大學(xué)實驗室、研究所及半導(dǎo)體生產(chǎn)線所需儀器設(shè)備，瞄準(zhǔn)定制化市場。主要產(chǎn)品有薄膜材料納米孔徑分析儀、高端平臺刻蝕機(jī)、等離子體刻蝕系列設(shè)備、化學(xué)氣相沉積系列設(shè)備、濺射薄膜鍍膜系列設(shè)備、原子層鍍膜系列設(shè)備、濕法清洗刻蝕系列設(shè)備等，公司擁有自主專利技術(shù)，核心產(chǎn)品技術(shù)國際領(lǐng)先。
公司堅持以人為本，技術(shù)團(tuán)隊囊括諾貝爾獎獲得者、兩名“千人計劃”專家，多名國內(nèi)外半導(dǎo)體領(lǐng)域知名教授及高?？蒲性核哪贻p技術(shù)骨干。國際一流的人才團(tuán)隊為公司保持技術(shù)領(lǐng)先、實現(xiàn)創(chuàng)新驅(qū)動打下了堅實的基礎(chǔ)。
公司致力于成為全球一流的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，愿與客戶、供應(yīng)商、業(yè)界同仁及投資者共同開拓和締造半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的廣闊未來！
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