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    高溫?zé)o氧化烤箱,半導(dǎo)體制程烤箱

    庫(kù)       存:

    1

    產(chǎn)       地:

    全國(guó)

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價(jià)       格:

    面議
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     高溫?zé)o氧化烤箱,半導(dǎo)體制程烤箱簡(jiǎn)介:

       高溫?zé)o氧化烤箱,半導(dǎo)體制程烤箱用于PI、BCB膠高溫固化烘烤。整個(gè)箱體結(jié)構(gòu)分為:膛體組件、箱架組件和熱風(fēng)組件三個(gè)部分,膛體腔,內(nèi)表面全鏡面設(shè)計(jì),風(fēng)道由左、右、后導(dǎo)風(fēng)板與箱體內(nèi)壁組合而成,膛體頂部有排風(fēng)管道。
    高溫?zé)o氧化烤箱,半導(dǎo)體制程烤箱技術(shù)參數(shù):
    1. 最高溫度:450℃;可自定義
    2. 工作室尺寸:450×650×450mm(W×H×D);可自定義
    3. 箱體數(shù)量:一個(gè);可自定義兩箱、四箱
    4. 腔體材料:SUS304鏡面不銹鋼;
    5. 加熱元件:不銹鋼加熱器;
    6. 熱電偶:國(guó)產(chǎn),K分度;
    7. 空箱升溫時(shí)間:每分鐘5度,全程平均;
    8. 空箱降溫時(shí)間:300℃-90℃降溫時(shí)間為1.5小時(shí)左右(采用鼓風(fēng)冷翅片散熱器或氣體);
    9. 記錄儀:溫度和氧含量無(wú)紙記錄儀;
    10. 氧含量-氧分析儀:
      高溫狀態(tài)氧含量:≤ 20ppm +氣源氧含量
      低溫狀態(tài)氧含量:≤ 50ppm +氣源氧含量
    11. 溫度波動(dòng)度:±1℃;
    12. 溫度均勻度:±5%(300℃平臺(tái));
    高溫?zé)o氧化烤箱,半導(dǎo)體制程烤箱基本配置:
    1. 控制:每個(gè)箱體單獨(dú)控溫、通氣、報(bào)警保護(hù);
    2. 排風(fēng)口:一個(gè);
    3. 控溫儀表:日本理化FP23溫控儀;
    4. 控溫段數(shù):20×20段;
    5. 控溫點(diǎn)數(shù):一點(diǎn);
    6. 超溫報(bào)警點(diǎn)數(shù):一點(diǎn);
    7. 檢測(cè)點(diǎn)數(shù):三點(diǎn);
    8. 高溫開(kāi)爐門保護(hù):當(dāng)溫度超過(guò)100℃,電子鎖自動(dòng)鎖緊,防止高溫開(kāi)門
    9. 報(bào)警保護(hù):超溫、斷偶等聲光報(bào)警保護(hù);
    10. 超溫保護(hù):獨(dú)立感溫式超溫保護(hù)器;
    11. 電機(jī)保護(hù):電機(jī)過(guò)電流、過(guò)熱保護(hù);                      
    12. 表面溫升:<30℃;
    13. 加熱功率:15kW;   
    14. 保溫功率: ≤9kW;
    15. 電源:容量大于80KVA,3相5線,220/380VAC,50Hz;

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