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砷化鎵（gallium arsenide），化學(xué)式GaAs，屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，由砷和鎵兩種元素化合而成，外觀呈亮灰色，具金屬光澤、性脆而硬，是當(dāng)代國(guó)際公認(rèn)的繼"硅（Silicon）"之后最成熟的化合物半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優(yōu)越特性，是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。

在光電子工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用層面，砷化鎵單晶可被用于制作LD（激光器）、LED（發(fā)光二極管）、光電集成電路（OEIC）、光伏器件等；
在微電子工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用層面，可被用于制作MESFET（金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）、HEMT（高電子遷移率晶體管）、HBT（異質(zhì)結(jié)雙極晶體管）、IC、微波二極管、Hall器件等。

主要涉及高端軍事電子應(yīng)用、光纖通信系統(tǒng)、寬帶衛(wèi)星無(wú)線通信系統(tǒng)、測(cè)試儀器、汽車(chē)電子、激光、照明等領(lǐng)域。作為重要的半導(dǎo)體材料，GaAs的電子遷移率為硅和氮化鎵的5倍，用于中小功率微波器件具有更低的功率損耗，因此在手機(jī)通訊、局域無(wú)線網(wǎng)、GPS和汽車(chē)?yán)走_(dá)等領(lǐng)域中占主導(dǎo)地位。

2英寸砷化鎵襯底晶片N型P型本征片

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