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    4英寸氮化鎵復(fù)合襯底 東莞中鎵

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-氮化鎵

    產(chǎn)品品牌

    中鎵

    庫       存：

    1000

    產(chǎn)       地：

    中國-廣東省

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    面議
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    品牌：中鎵

    型號：

    所屬系列：半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-氮化鎵

    4英寸氮化鎵復(fù)合襯底
    產(chǎn)品型號
    Item
    		            ST－ncY－Φ100        
    尺寸
    Size (mm)
    		   Φ100.0±0.5
    GaN厚度
    Thickness (μm)
    		    6～8，Customized
    導(dǎo)電類型
    Conduction Type
    		   Un-doped N-type  Si-doped N-type
    電阻率 (300K)
    Resistivity (Ω•cm）
    		   ≤ 0.5  ≤ 0.05
    晶向
    Orientation
    		 C-axis(0001)±0.5°   
    GaN層厚度均勻性
    GaN Thickness Uniformity
    		       ≤ ±5%             ≤ ±8%       ≤ ±10%
    位錯密度
    Dislocation Density (cm﹣² )­
       Grade A
    		 Grade B
    107 108
    襯底結(jié)構(gòu)
    Substrate Structure
    		 GaN on Sapphire(0001)   
    有效面積
    Useable Surface Area
    		  ＞90%  
    包裝
    Package
    		 Packaged in a class 100 clean room environment.   

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