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    2英寸氮化鎵復(fù)合襯底 東莞中鎵

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-氮化鎵

    產(chǎn)品品牌

    中鎵

    庫       存：

    100

    產(chǎn)       地：

    全國

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    面議
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    品牌：中鎵

    型號：

    所屬系列：半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-氮化鎵

    2英寸氮化鎵復(fù)合襯底 東莞中鎵
    產(chǎn)品型號
    Item
    ST－ncY－Φ50
    ST－ncZ－Φ50
    ST－ncH－Φ50
    尺寸
    Size (mm)
    50.8±0.5
    襯底結(jié)構(gòu)
    Substrate Structure
    		 GaN on Sapphire(0001)
    厚度
    Thickness (um)
    Al2O3 :430±25； GaN : Customized Sized
    GaN層厚度均勻性
    GaN Thickness Uniformity
    ≤ ±5%
    晶向  
    Orientation
    C-axis(0001)±0.5°
    導(dǎo)電類型
    Conduction Type
    Un-doped
    N-type
    N-type
    High-doped
    N-type
    載流子濃度  
    Carrier Concentration
    (cm-3）
    ≤2×1017
    		 ≥1×1018  ≥5×1018
    位錯密度
    Dislocation Density
    (cm-2)
    Grade A
    Grade B
    ≤5×107
    ≤5×108
    包裝 
    Package
    		Packaged in a class 100 clean room environment.


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