高分辨聚焦離子束(Xe)掃描電鏡XEIA3

  新一代超高分辨SEM/i-FIB雙束聚焦掃描電鏡工作平臺

XEIA3，是一款獨特的集多種功能于一體的新型雙束聚焦(XE)掃描電子顯微鏡，它性能優(yōu)異，為用戶提供完美的整體解決方案。XEIA3不僅配有大功率的FIB以進行超快速的微米或納米級切割，還具備出色的低能粒子束成像能力，同時亦可以進行快速可靠地顯微分析以及樣品分析的3D重建。

關(guān)鍵參數(shù)特征

• 功能強大的SEM電子光學(xué)系統(tǒng)，采用高亮度的Schottky發(fā)射器為電子源，具有束流大，噪點低，非凡的成像能力等特點
• In-Beam探測器能夠確保在極小的工作距離下仍能收集信號，進行高品質(zhì)成像
• 采用Xe等離子體源的超快速FIB系統(tǒng)。 束流大，具有驚人的離子束切割速度，因此在切除大體積塊狀材料時卓有成效；同時較低的離子束流便于完成樣品表面拋光
• 電子束減速技術(shù)（BDT）助力于進行超低著陸電壓下的完美成像
• 隔離材料的植入、摻雜或降解更少，這點對于半導(dǎo)體行業(yè)相當重要
• SEM與 FIB兩系統(tǒng)互補，即使用FIB進行樣品切割或沉積時，可同時進行SEM成像拍照
• TESCAN電鏡獨有的各種自動化操作技術(shù)，如In-Flight Beam Tracing^TM技術(shù)可通過計算精確的調(diào)節(jié)高分辨率成像所需的參數(shù)設(shè)置（例如工作距離WD、放大倍率等）
• DrawBeam 軟件模塊是一個便于進行圖案設(shè)計的工具，3D功能亦很強大，使用它可在FIB切割或粒子束蝕刻等過程可實時獲取圖像
• 為3D EDX及3D EBSD等三維顯微分析技術(shù)帶來全新的解決方案
• 獨家集成了飛行時間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）與 掃描探針顯微技術(shù)，可擴展的大樣品室，使用戶能夠進行6’’、8’’ and 12’’ 的晶片光刻檢驗，12’’ 晶片光刻檢驗是TESCAN電鏡獨有的技術(shù)能力
• 氣體注入系統(tǒng) (GIS) 有助于使FIB完成更多應(yīng)用
• 高性能的電子成像能力，其成像速率可高達20 ns/pxl, 同時具備出色的沉積速率及超快的掃描速度
• 渦輪分子泵及前級泵的高效能有利于保持樣品室的清潔度；電子槍通過離子吸氣泵獲得真空

Xe等離子體源，極大地擴展FIB的應(yīng)用能力

應(yīng)用實例

半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域

Xe等離子體源的FIB系統(tǒng)，能夠為用戶提供更加快速便捷的技術(shù)手段，使其更好地利用能譜（EDX）、波譜（WD）等化學(xué)成分分析方法，更能夠充分發(fā)揮3D EDX和3D EBSD的功能及特點。同時，XEIA3還能夠搭載飛行時間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS），用于進行優(yōu)異分辨率的表面分析。以上可知，XEIA3是一個功能超級全面的分析平臺，其在材料科學(xué)領(lǐng)域所呈現(xiàn)的研究能力顯而易見。

• 新材料及其形貌表征的研究
• 晶體、陶瓷及高分子等非導(dǎo)電材料研究
• 復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳納米管的圖案結(jié)構(gòu)觀察

碳納米管                                Ag納米線

材料科學(xué)

XEIA3雙束聚焦離子束掃描電鏡配有大功率Xe等離子體源FIB系統(tǒng)，特別適合半導(dǎo)體和微電子行業(yè)的檢測和應(yīng)用。用戶可采用大束流進行快速FIB切割，大束流也適用于制備材料薄層切片或切割較大橫截面；使用中等束流進行拋光，并去除表面加工痕跡；小束流用于進行切割截面或薄層切片最后的精拋光。另外，FIB進行離子刻蝕能夠獲得更好的蝕刻圖案分辨率。