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Veeco 適用于功率器件的 Propel Power GaN MOCVD 系統(tǒng)

單晶片反應(yīng)腔技術(shù)能夠生產(chǎn) GaN 基高效功率器件。

Veeco 的 Propel™ Power GaN MOCVD 系統(tǒng)專為電力電子器件行業(yè)而設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用單晶片反應(yīng)腔平臺(tái)，能夠處理六至八英寸晶片，可沉積高品質(zhì)的 GaN 薄膜，生產(chǎn)高效率的電力電子器件。這種單晶片反應(yīng)腔基于 Veeco 的領(lǐng)先 TurboDisc® 設(shè)計(jì)并采用突破性的技術(shù)，其中包括新的 IsoFlange™ 以及可在整個(gè)承載盤(pán)中提供均勻的層流和統(tǒng)一溫度曲線的 TruHeat™ 晶片線圈?？蛻艨梢院茌p松地從 Veeco K465i™ 和 MaxBright™ 系統(tǒng)切換到 Propel Power GaN MOCVD 平臺(tái)。

出色的薄膜均勻度、產(chǎn)量和設(shè)備性能
具有較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間和較低的顆粒缺陷，實(shí)現(xiàn)出色的良率和靈活性
快速研究周期可加速?gòu)墓杌壯邪l(fā)過(guò)渡到大批量生產(chǎn)
模塊化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)輕松的配置、操作和維護(hù)

Veeco 適用于功率器件的 Propel Power GaN MOCVD 系統(tǒng)

應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

產(chǎn)品品牌

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