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本機是專為生產(chǎn)中、大規(guī)模集成電路、CCD、表面波、磁泡、微波等器件的光刻需要而設計制造的。它可以將兩塊掩模上的各種圖案經(jīng)紫外光束的曝光，從上下兩面分別或同時轉(zhuǎn)印至硅片或其它基片的正反面上，再經(jīng)其它工序的處理，從而獲得完整的微電子器件。

本機為適應各電子器件廠對JKG-2A型光刻機的使用習慣，故保留了JKG-2A型光刻機部分操作程序，尤其是為了提高光刻的質(zhì)量，本機的結(jié)構(gòu)、精度以及性能等方面作了大幅度的改進。為減少使用者的疲勞，顯微鏡采用雙目觀察和平視場物鏡，成像清晰，景深較長。由于本機具有上述種種特點，是成批生產(chǎn)微電子器件較為適合的光刻設備。

主要技術(shù)參數(shù)

1、適用的掩模尺寸：	1001002~3mm或75752~3mm
2、適用的基片幅面尺寸：	ф50或ф75mm
3、曝光分辨率：	3~4чm
4、掩模與硅片之間的相對位移范圍：	X、Y各≥±2.5mm；　θ（旋轉(zhuǎn)）≥±5°
5、工作臺綜合移動范圍：	X±37.5mm、Y±20mm
6、曝光系統(tǒng)：	GCQ200W超高壓球形汞燈，曝光波長：300~436nm
7、曝光系統(tǒng)能量不低于：	波長407nm； 7mW/cm2
8、曝光系統(tǒng)的照明不均勻性在ф75mm范圍內(nèi)	±5%
9、顯微鏡的照明波長	≈545nm
10、曝光時間控制范圍：	0.01秒~99.99分
11、雙目顯微鏡的調(diào)焦范圍：	13mm
12、雙目顯微鏡的放大倍率：	a.成對目鏡，共兩種：10、16； b.平視場物鏡，共兩種：6、9； c.總合成放大倍率：60~144
13、真空接觸壓力：	≥0.7kgf
14、供電電源：	a.頻率：50HZ（Z頻）；b.額定輸入電壓：190V~230V；c.功率消耗：≤300VA
15、外形尺寸：	8001440650mm
16、重量：	≈80kg

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