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    包郵 關(guān)注:245

    實驗型晶圓凸點電鍍系統(tǒng)

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè):

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-電鍍類設(shè)備

    產(chǎn)品品牌

    rad-plater

    庫       存:

    99

    產(chǎn)       地:

    日本

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價       格:

    面議
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    品牌:rad-plater

    型號:

    所屬系列:半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-電鍍類設(shè)備

     電鍍過程是金屬化的過程,通過全密閉單片式電鍍腔體,將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面,以形成金屬互聯(lián)。導(dǎo)電電極會連接至晶圓,采用電鍍工藝沉積金屬至晶圓上圖案化的溝槽內(nèi)而形成金屬層(又稱為金屬薄膜)中的金屬線,例如形成銅線,或者金線.
    此電鍍設(shè)備可運用于多種晶圓材料如Si、InP、GaAs、GaN、LiNbO3、SiC等,也可做電鍍Au、Cu、Ni、Sn、Ag等多種金屬的單層電鍍工藝。
    同樣適用于多種電鍍工藝,如凸塊,RDL,通孔,盲孔,深孔等工藝需求,擁有出色的均勻性。
    根據(jù)工藝需求,可提供配套的電鍍藥水。
    實驗型采用單CUP的電鍍槽體,屬于小型電鍍實驗設(shè)備,電鍍液的體積不足10升,有效地降低了實驗的成本。

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