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光刻代加工

發(fā)表于：2019-10-24  作者：gdisit  關注度：550

 
設備名稱：光刻機 /美國ABM
 
用途：光刻膠的圖形化
 
技術指標：
1. 紫外光波長：365nm，曝光能量密度18-20mW/cm2可調(diào)
2. 樣品尺寸：6英寸及以下，光刻板尺寸3、4、5、7英寸
3. 分辨率：接觸曝光＜0.5μm，接近式曝光≤1μm
4. 對準精度:＜1μm

案例：

 1μm線條光刻  多層光刻板套刻

                                                            1μm線條光刻                                                       多層光刻板精準套刻

         廣東省半導體產(chǎn)業(yè)技術研究院微納加工平臺，擁有半導體器件制備工藝研發(fā)所需的整套儀器設備，可提供鍍膜、刻蝕、光刻等技術服務，加工尺寸覆蓋2-6英寸。
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