半導(dǎo)體要聞 硅晶圓 砷化鎵晶圓 芯片 英特爾等綜合新聞
發(fā)表于：2017-08-30 作者：dsm1219 關(guān)注度：553
重慶超硅再傳喜訊通過國內(nèi)8寸硅晶圓制造商認(rèn)證
重慶超硅再傳喜訊，8寸拋光硅晶圓通過國內(nèi)某8寸晶圓制造廠初步認(rèn)證，將于8月底開始小批量風(fēng)險評估。
重慶超硅的規(guī)劃產(chǎn)能是8寸月產(chǎn)25萬片，12寸月產(chǎn)15萬片。
同時公司的12寸晶棒已于2016年拉出，日前晶體質(zhì)量驗(yàn)證完成，硅晶圓即將送樣認(rèn)證。據(jù)悉公司的12寸拋光硅晶圓片可以滿足目前尖端的10nm工藝制程要求。
重慶超硅送樣的是COP free(Crystal Originated Particle free無原生缺陷片)，其顆?？刂圃?lt;10
@65nm。以CZ型8寸硅晶圓片為例，因?yàn)橛性毕?，一般的輕摻prime wafer的顆粒只能控制在<10@0.1um（也就是說在8寸晶圓片中有小于10個0.1um大小的顆粒），但是COP free硅晶圓片可以控制在<10
@80nm（也就是說在8寸晶圓片中有小于10個80nm大小的顆粒）。據(jù)業(yè)內(nèi)人士說，CZ型8寸硅晶圓的顆粒極限是<10
@50nm。當(dāng)然制程越高對顆粒的尺寸要求越嚴(yán)格。
湘潭6寸砷化鎵晶圓/射頻器件項(xiàng)目開建年產(chǎn)能7萬片滿足10億手機(jī)終端需求
8月25日，湘潭高新區(qū)時變
半導(dǎo)體項(xiàng)目一期開工儀式舉行。
時變半導(dǎo)體項(xiàng)目由湖南時變通訊科技有限公司投資建設(shè)，項(xiàng)目總投資15億元，分兩期開發(fā)建設(shè)。一期建筑面積13000平方米，內(nèi)含1500平方米的潔凈室，預(yù)計(jì)今年年底完工并正式投產(chǎn)；二期工程計(jì)劃于2018年初開工，建成后可實(shí)現(xiàn)就業(yè)1000余人，預(yù)計(jì)每年將生產(chǎn)約7萬片6寸砷化鎵晶圓和約10億只手機(jī)終端專用的可編程寬帶濾波器和雙工器。
遂寧6英寸MOSFET芯片項(xiàng)目一期投產(chǎn)完善遂寧市集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈
8月18日，位于經(jīng)開區(qū)的四川廣義微電子股份有限公司“0.25微米6英寸MOSFET”芯片項(xiàng)目一期生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。
“‘0.25微米6英寸MOSFET’芯片項(xiàng)目，總投資31.8億元，新征土地219畝，分三期建設(shè)。”據(jù)四川廣義微電子股份有限公司董事長王作義介紹，公司將建設(shè)6英寸芯片生產(chǎn)線3條和8英寸芯片生產(chǎn)線3條，形成年產(chǎn)96萬片/條的生產(chǎn)能力。
紫光股份半年凈利潤超兩倍解讀戰(zhàn)略部署下的核心驅(qū)動
紫光股份有限公司打造完整而豐富的“云-網(wǎng)-端”產(chǎn)業(yè)鏈正見成效。8月24日晚間，紫光股份發(fā)布2017年中報，報告期內(nèi)，紫光股份實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入168.77億元，同比增長82.11%；凈利潤為8.06億元，同比增長203.99%；每股收益為0.77元。
英特爾大連工廠預(yù)計(jì)今年新增固定資產(chǎn)投資 20 億美元以上
位于大連經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)的英特爾是大連乃至全國改革開放以來最大的外資項(xiàng)目。英特爾大連工廠于 2007 年奠基，2010 年正式投產(chǎn)。2015 年 10 月，英特爾宣布投資 55 億美元，升級大連工廠為非易失性存儲技術(shù)制造基地。2017 年 3 月，投資 55 億美元的英特爾非易失性存儲器項(xiàng)目第二階段的項(xiàng)目擴(kuò)建工程也正式啟動，將新增半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備約 1000 臺（套），將于 2019 年 3 月竣工投產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年新增固定資產(chǎn)投資 20 億美元以上。
通富微電廈門建新廠 火力全開融入國際產(chǎn)業(yè)鏈
通富微電，是排名全球第八、中國大陸前三的封測企業(yè)，是大陸封測企業(yè)中第一個實(shí)現(xiàn)12英寸28納米手機(jī)處理器后工序全制程大規(guī)模生產(chǎn)的企業(yè)，擁有行業(yè)內(nèi)先進(jìn)封測技術(shù)，整體技術(shù)能力與國際先進(jìn)水平基本接軌。
今年6月26日，通富微電與廈門市海滄區(qū)政府簽訂共建集成電路先進(jìn)封測生產(chǎn)線的戰(zhàn)略合作協(xié)議，不到60天的時間，該項(xiàng)目便完成了項(xiàng)目公司注冊、一期地塊招拍掛、配套設(shè)施完善等相關(guān)事項(xiàng)。廈門通富微電項(xiàng)目，總投資70億元，計(jì)劃按三期分階段實(shí)施；其中，一期用地約100畝，規(guī)劃建設(shè)2萬片Bumping、CP以及2萬片WLCSP、SIP（中試線）。目前，該項(xiàng)目正按照今年第三季度開工建設(shè)、2018年11月試投產(chǎn)的目標(biāo)有序推進(jìn)。
南京德科碼獲TowerJazz強(qiáng)援 缺乏金主未來仍不明朗
2017年8月21日以色列晶圓代工商TowerJazz與德科碼半導(dǎo)體科技(Tacoma Semiconductor Technology Co.)簽署協(xié)議，向德科碼在南京的8寸工廠提供技術(shù)支持以及運(yùn)營和一體化咨詢，以幫助德科碼進(jìn)行生產(chǎn)。
根據(jù)最終協(xié)議，TowerJazz將在未來數(shù)年按照重要里程碑向德科碼收取款項(xiàng)。目前德科碼已經(jīng)支付了第一筆款項(xiàng)1800萬美元。協(xié)議同時規(guī)定，從投產(chǎn)開始，TowerJazz將有權(quán)獲得南京德科碼晶圓廠多達(dá)50%的產(chǎn)能。
據(jù)悉，南京德科碼晶圓廠計(jì)劃每月生產(chǎn)4萬片晶圓，意味著TowerJazz將可望獲取20000片晶圓產(chǎn)能，這將使TowerJazz有更多的制造靈活性，有更多的產(chǎn)能來滿足增長中的全球需求。
看好中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)騰飛ASML南京分公司近日開業(yè)
據(jù)南京日報報道，8月18日，全球最大芯片光刻設(shè)備市場供貨商阿斯麥（ASML）在南京的分公司正式開業(yè)。作為臺積電的重要合作伙伴及上游供應(yīng)商，該企業(yè)選擇落戶在南京江北新區(qū)研創(chuàng)園孵鷹大廈。
跟隨臺積電的步伐，ASML在南京的布局在一年前啟動。去年11月考察江北新區(qū)研創(chuàng)園后，被園區(qū)前端的產(chǎn)業(yè)定位、創(chuàng)新的整體設(shè)計(jì)、完善的軟硬件配套所吸引。今年8月，ASML南京分公司完成了750平米辦公設(shè)施搭建，以及服務(wù)工程師、裝機(jī)工程師、應(yīng)用工程師等多職能覆蓋的團(tuán)隊(duì)組建。談及ASML未來對中國半導(dǎo)體市場前景的展望，該公司中國區(qū)負(fù)責(zé)人表示，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在騰飛，自去年起，啟動或宣布即將建設(shè)的新工廠已超過20個，ASML未來在中國將會有更多的機(jī)會，同時他們也非?？春媚暇┙毙聟^(qū)的發(fā)展環(huán)境。
兆易創(chuàng)新加強(qiáng)在中芯與華力微上投片NOR Flash 漲勢恐有陰霾
在兆易創(chuàng)新有了客戶，但是武漢新芯在有自己的營運(yùn)考量，也就是旗下 12 寸廠每月 3 萬片的產(chǎn)能，三分之一用來進(jìn)行邏輯 IC 代工，三分之二才進(jìn)行 NOR Flash 生產(chǎn)的情況下，武漢新芯既要服務(wù)兆易創(chuàng)新，又要服務(wù)其他廠商。這使得兆易創(chuàng)新的產(chǎn)能受到限縮，無法進(jìn)一步補(bǔ)上市場的缺貨缺口，使得日前 NOR Flash 市場面臨供不應(yīng)求的情況。
不過，據(jù)了解，兆易創(chuàng)新當(dāng)前的投片情況已經(jīng)開始有所調(diào)整，也就是藉由在中芯與華力微上的增加投片，增加產(chǎn)能，來滿足市場上的需求。消息人士指出，由于中芯目前的產(chǎn)能利用率較低，兆易創(chuàng)新自 6 月份開始就在中芯開始投片。而且數(shù)量從一開始的每月 2,000 片，提升到當(dāng)前 8,000 片的數(shù)量，已經(jīng)足成長了 4 倍數(shù)量，數(shù)量可觀。此外，兆易創(chuàng)新跟華力微的合作方面，也已經(jīng)正式開始投片。
大陸首座硅晶圓廠量產(chǎn)在即12寸硅晶圓99%依賴進(jìn)口
新升半導(dǎo)體是大陸首座十二吋硅晶圓廠，由前中芯國際創(chuàng)辦人張汝京網(wǎng)羅美、中、臺、日、南韓及歐洲技術(shù)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)設(shè)，雖然張汝京在今年六月辭去新升半導(dǎo)體總經(jīng)理職務(wù)，但仍擔(dān)任董事。
新升半導(dǎo)體成立于2014年六月，坐落于臨港重裝備區(qū)內(nèi)，占地一五○畝，總投資約人民幣六十八億元，一期總投資約人民幣廿三億元。主力產(chǎn)品十二吋硅晶圓目前已進(jìn)入第一期量產(chǎn)，雖然初期良率仍低，卻擔(dān)負(fù)大陸建立自主供應(yīng)鏈，要解決十二吋晶圓長期依賴進(jìn)口局面，建立關(guān)鍵材料自主供應(yīng)。
大陸積極建立自主硅晶圓供應(yīng)鏈，包括上海新升半導(dǎo)體決定在未來四年達(dá)到月產(chǎn)六十萬片十二吋硅晶圓規(guī)模。
江豐電子16納米節(jié)點(diǎn)已實(shí)現(xiàn)批量供貨 半年凈利潤增長34.23%
寧波江豐電子材料股份有限公司（以下簡稱“江豐電子”）的超高純金屬濺射靶材產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于世界著名半導(dǎo)體廠商的最先端制造工藝，在16納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)批量供貨，同時還滿足了國內(nèi)廠商28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)需求，江豐電子也已經(jīng)成為國內(nèi)最大的半導(dǎo)體芯片用高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)商，目前生產(chǎn)的鉭靶主要用于超大規(guī)模集成電路領(lǐng)域。
8月20日，江豐電子發(fā)布2017上半年財報，財報顯示，公司上半年實(shí)現(xiàn)營收2.50億元，同比增長32.46%；歸屬于上市公司股東的凈利潤2058.40萬元，同比增長34.23%。
居龍SEMI為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走國際化發(fā)展之路助力
居龍?jiān)谘葜v中表示：隨著近年來中國半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，中國已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最大的需求區(qū)，2016年達(dá)到44.2%，預(yù)計(jì)到2020年將達(dá)到45.8%。為此，今年以來各大市場咨詢機(jī)構(gòu)不斷上調(diào)2017年全球?qū)w收入增長率預(yù)測：
居龍指出，然而中國市場的產(chǎn)能嚴(yán)重不足，大約只能貢獻(xiàn)5%的產(chǎn)能，這里還包括了外企在中國設(shè)立的生產(chǎn)廠，如三星在西安的生產(chǎn)基地。
居龍分析，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為美第二大出口產(chǎn)品，僅次于飛機(jī)，實(shí)際控制產(chǎn)值超過2000億美元，超過了電腦、電信等其他主要電子產(chǎn)品。從全球范圍來看，美國貢獻(xiàn)了48%的半導(dǎo)體產(chǎn)能，但其需求僅為13%。反觀中國則是最大的和增長最快的市場。在全球半導(dǎo)體需求中，中國市場需求雄居全球第一的位置，2016年約44.2%，預(yù)計(jì)到2020年將增長至45.8%。
2017年全球整體IC市場規(guī)模年增16% 存儲器車用IC成長幅度最高
據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights最新公布預(yù)估，在33類IC產(chǎn)品中，2017年計(jì)有29類產(chǎn)品市場規(guī)模會出現(xiàn)年增，并且其中有10類產(chǎn)品市場規(guī)模年增幅度將會大于(等于)10%。僅顯示器驅(qū)動芯片、4/8位元微控制器、SRAM，以及閘陣列(Gate Array)等4類產(chǎn)品規(guī)模會出現(xiàn)年減。
近5年全球DRAM市場規(guī)模每年成長幅度呈現(xiàn)強(qiáng)烈波動。2013與2014年DRAM規(guī)模分別年增32%與34%，居各當(dāng)年各類IC產(chǎn)品規(guī)模年增幅度之首。2015與2016年DRAM規(guī)模分別年減3%與8%，在各當(dāng)年IC產(chǎn)品年增率的排名中，也分別跌至第18與26名。然而，預(yù)估2017年DRAM又會以年增55%，再度排名第一。
017年市場規(guī)模年增幅度最高的IC產(chǎn)品是DRAM，達(dá)55%。IC Insights表示，由于2017年上半全球DRAM平均售價(ASP)強(qiáng)勁攀升，因此DRAM產(chǎn)品市場規(guī)模年增幅度會重新躍居各類IC產(chǎn)品之冠，并不意外。
在DRAM、汽車特用邏輯與模擬芯片、NAND Flash，以及工業(yè)∕其他特用邏輯芯片等市場規(guī)模大幅成長的推動下，預(yù)估2017年全球整體IC市場規(guī)模將會年增16%。
高通7納米世代重回臺積電懷抱 雙方聯(lián)手轉(zhuǎn)進(jìn)FinFET制程
高通技術(shù)授權(quán)事業(yè)工程技術(shù)副總Sudeepto Roy表示，與臺積電近10年來的合作從65納米開始，會一直走到FinFET制程世代。業(yè)界對此解讀為高通在7納米世代將重回臺積電生產(chǎn)，在延續(xù)摩爾定律的艱鉅道路上，臺積電絕對是高通更值得信任的合作伙伴。
高通與三星的合作橫跨兩個半導(dǎo)體制程世代，從16納米一路到10納米制程，近期高通在7納米制程重回臺積電生產(chǎn)的傳言甚囂塵上，業(yè)界分為兩派說法，一是高通手機(jī)應(yīng)用處理器(AP)訂單將采用臺積電的7納米制程生產(chǎn)，另一派說法則是高通將先釋出基頻(baseband)芯片給臺積電的7納米生產(chǎn)，但最關(guān)鍵的AP晶圓代工，高通仍在臺積電與三星之間考慮。
高通和臺積電近10年來的合作軌跡從2006年一起開發(fā)65納米制程，2007年開發(fā)45納米制程，延續(xù)到2010年合作28納米制程，然隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)至FinFET制程世代之后，高通與臺積電的技術(shù)合作表面上看似斷了線，因?yàn)楫?dāng)年在關(guān)鍵的16/14納米制程抉擇點(diǎn)上，高通礙于眾多考量，選擇采用三星電子(Samsung Electronics)14納米制程，而非臺積電16納米制程。
第二季NAND Flash品牌廠營收季成長8%，第三季價格續(xù)漲
DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)，但在轉(zhuǎn)換期間所帶來的產(chǎn)能損失，已持續(xù)造成整體供需失衡，進(jìn)而使合約價持續(xù)上揚(yáng)，預(yù)計(jì)今年整年仍將處于供不應(yīng)求的狀態(tài)，預(yù)期要到2018年隨著各原廠在64/72層3D-NAND制程成熟后，才能緩解目前缺貨局面。
集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線合約價平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)內(nèi)的eMMC/UFS以及SSD合約價仍持續(xù)小漲，2017年將是NAND Flash廠商營收表現(xiàn)成果豐碩的一年。
搶當(dāng)晶圓代工第二 三星華城18號線提前動工
數(shù)據(jù)顯示，2016年三星晶圓代工營收為45.18億美元，較2015年大增78.6%。
BusinessKorea、Korea Economic Daily、韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星晶圓代工共有三個廠區(qū)，S1廠在韓國器興(Giheung)、S2廠在美國德州奧斯汀、S3在韓國華城(Hwaseong)。S3預(yù)定今年底啟用，將生產(chǎn)7、8、10納米制程晶圓。
韓媒BusinessKorea 19日報導(dǎo)，三星華城廠的18號線原定明年動工，如今三星決定提前至今年11月破土。18號線的建筑面積為40,536平方公尺(約1.2萬坪)，總樓面面積為298,114平方公尺(約9萬坪)。投資金額為6萬億韓元(54億美元)，預(yù)定2019年下半完工，生產(chǎn)存儲器以外的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
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