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    2英寸磷化銦襯底晶片

    應用于半導體行業(yè)：

    半導體原材料-晶片—襯底類-磷化銦

    庫       存：

    20

    產(chǎn)       地：

    全國

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    ￥2000.00
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    品牌：

    型號：

    所屬系列：半導體原材料-晶片—襯底類-磷化銦


    1. InP 單晶參數(shù)
    品種
    直徑
    （英寸）
    類型
    濃度
    （cm-3）
    遷移率
    (cm2/V.s)
    電阻率
    (W.cm)
    位錯密度
    (cm-2)
    非摻 InP
    2
    N
    (0.8-2)´1016
    (3.5- 4) ´103
    		  
    (5-6)´104
    S-InP
    2
    N
    (0.8-3)´1018
    (4-8)´1018
    (2.0-2.4) ´103
    (1.0-1.6) ´103
    		  
    < 3´104
     <5´102(60%面積)
    3
    N
    (0.8-3)´1018
    (4-6)´1018
    (2.0-2.4) ´103
    (1.3-1.6) ´103
    		  
    < 5´104
    < 1´103(60%面積)
    Zn-InP
    2/3
    P
    (0.6-2) ´1018
    (3-6)´1018
    70-90
    50-70
    		  
    < 5´104
     <5´102(60%面積)
    Fe-InP
    2
    N
    107-108
    ³2000
    107-108
    < 3´104
    3
    N
    107-108
    ³2000
    107-108
    < 6´104
    多晶
    50-70
    N
    (0.6-5)´1016
    		      
    晶片單面拋光或雙面拋光，開盒即用。晶向（100）, (111)。 標準厚度: 2英寸片， 350±25mm；3英寸片600±25mm，  可加工其它特殊參數(shù)要求晶片。

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