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當前位置: 首頁 » 耗材館 » 半導(dǎo)體原材料 » 晶片—襯底類 » 磷化銦 »2英寸InP襯底
    包郵 關(guān)注:424

    2英寸InP襯底

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè):

    半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-磷化銦

    產(chǎn)品品牌

    morsensemi

    規(guī)格型號:

    2英寸

    發(fā)貨期限:

    3-7天天

    庫       存:

    1000

    產(chǎn)       地:

    中國-江蘇省

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價       格:

    面議
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    品牌:morsensemi

    型號:2英寸

    所屬系列:半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-磷化銦

    MORSENSEMI 2英寸InP單晶片主要參數(shù)指標

    摻雜

    導(dǎo)電類型

    載流子濃度(cm-3

    遷移率(cm2V-1s-1

    電阻(Ω.cm)

    位錯(cm-2

    非摻

    N-型

    ≤3×1016

    3.5-4)×103

     

    ≤1000

    S

    N-型

    0.8-6)×1018

    1.5-3.5)×103

     

    ≤5000/≤500

    Zn

    P-型

    0.6-6)×1018

    50-70

     

    ≤5000

    Fe

    SI

     

    2000

    1×107

    ≤5000

    加工技術(shù)參數(shù)

    規(guī)格

    2英寸

    3英寸

    4英寸

    直徑(mm)

    50.8±0.5

    76.2±0.5

    100.0±0.5

    厚度(μm)

    350±25

    600±25

    625±25

    晶向

    100)/(111)±0.5°

    主定位邊長(mm)

    16±2

    22±2

    32.5±2

    副定位邊長(mm)

    8±1

    11±1

    18±1

    平整度TTV(μm)

    10

    10

    15

    彎曲度Bow(μm)

    10

    10

    15

    翹曲度Warp(μm)

    15

    15

    15

    其他產(chǎn)品參數(shù)可按照客戶要求定制

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