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    包郵 關(guān)注:444

    3英寸磷化銦InP襯底

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-磷化銦

    產(chǎn)品品牌

    morsensemi

    規(guī)格型號(hào)：

    3英寸

    發(fā)貨期限：

    3-7天

    庫       存：

    1000

    產(chǎn)       地：

    中國-江蘇省

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價(jià)       格：

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌：morsensemi

    型號(hào)：3英寸

    所屬系列：半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-磷化銦

    MORSENSEMI 3英寸InP單晶片主要參數(shù)指標(biāo)

    摻雜
    導(dǎo)電類型
    載流子濃度（cm-3）
    遷移率（cm2V-1s-1）
    電阻（Ω.cm）
    位錯(cuò)（cm-2）
    非摻
    N-型
    ≤3×1016
    （3.5-4）×103
    ≤1000
    摻S
    N-型
    （0.8-6）×1018
    （1.5-3.5）×103
    ≤5000/≤500
    摻Zn
    P-型
    （0.6-6）×1018
    50-70
    ≤5000
    摻Fe
    SI
    ＞2000
    ＞1×107
    ≤5000
    加工技術(shù)參數(shù)
    規(guī)格
    2英寸
    3英寸
    4英寸
    直徑（mm）
    50.8±0.5
    76.2±0.5
    100.0±0.5
    厚度（μm）
    350±25
    600±25
    625±25
    晶向
    （100）/（111）±0.5°
    主定位邊長（mm）
    16±2
    22±2
    32.5±2
    副定位邊長（mm）
    8±1
    11±1
    18±1
    平整度TTV(μm)
    ＜10
    ＜10
    ＜15
    彎曲度Bow（μm）
    ＜10
    ＜10
    ＜15
    翹曲度Warp（μm）
    ＜15
    ＜15
    ＜15
    其他產(chǎn)品參數(shù)可按照客戶要求定制

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