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    平板PECVD

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-PECVD

    庫(kù)       存：

    10

    產(chǎn)       地：

    全國(guó)

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價(jià)       格：

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌：

    型號(hào)：

    所屬系列：半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-PECVD

     應(yīng)用領(lǐng)域：

    1）該設(shè)備是一個(gè)靈活和功能強(qiáng)大的PECVD工藝設(shè)備

    2）采用真空進(jìn)樣室進(jìn)樣可進(jìn)行快速的晶片更換，采用多種工藝氣體組合，并擴(kuò)大了允許的工藝溫度范圍

    3）具有最大的工藝靈活性，適用于集成電路、半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、光電子、微電子和微流體技術(shù)

    應(yīng)用工藝：

    1）可在襯底表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜

    2）高品質(zhì)，高速率sio2沉積，應(yīng)用于光子器件

    3）可沉積p型、n型摻雜薄膜

    4）可沉積疊層薄膜

    主要特點(diǎn)：

    1）可處理8 "晶片，也具有小批量（ 2"/4"多片）生產(chǎn)能力

    2）采用一系列的電極進(jìn)行襯底溫度控制，其溫度范圍為室溫至550° C

    3）6 至12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性，并可以放置在遠(yuǎn)端，遠(yuǎn)離主要工藝設(shè)備

    4）氣體通過(guò)頂電極上的噴淋頭式進(jìn)氣口進(jìn)入反應(yīng)室

    5）工作壓強(qiáng)0.5-1.0torr

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