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    CNT等離子體增強(qiáng)沉積爐 PECVD系統(tǒng)（三溫區(qū)）

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-PECVD

    產(chǎn)品品牌

    西尼特

    庫       存：

    100

    產(chǎn)       地：

    中國-北京市

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價(jià)       格：

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌：西尼特

    型號(hào)：

    所屬系列：半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-PECVD

    產(chǎn)品名稱： PECVD系統(tǒng)（三溫區(qū)）
    產(chǎn)品簡介：

    CNT等離子體增強(qiáng)沉積爐是專業(yè)生長高質(zhì)量石墨烯、碳納米管、二維硫化鉬的專用設(shè)備，也可用用于碳化硅、金屬薄膜、陶瓷薄膜其他材料的生長，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于航空航天、微電子、生物醫(yī)藥、納米材料等領(lǐng)域。

    等離子體增強(qiáng)沉積爐主要由預(yù)熱爐（用于氣體預(yù)熱、固體原料蒸發(fā)）、等離子射頻發(fā)生器、高溫生長腔體、石英管、石英支架、氣路系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、自動(dòng)化控制系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)等組成。

    1、預(yù)熱爐可以給進(jìn)入真空腔體的氣體或材料提前預(yù)熱、固體原料蒸發(fā)，預(yù)熱溫度范圍室溫～800℃（可根據(jù)工藝的實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整）；

    2、等離子射頻發(fā)生器,輸出功率5 -500W可調(diào)，頻率：13.56 MH

    3、生長腔體采用進(jìn)口高純石英管，配石英支架，

    4、加熱腔體采用進(jìn)口陶瓷纖維加熱器，均溫區(qū)600mm、對(duì)開式結(jié)構(gòu)；

    5、加熱爐體配有移動(dòng)滑軌，可左右移動(dòng)；

    6、密封法蘭均采用不銹鋼材質(zhì)，配水冷套，可連續(xù)長時(shí)間工作；

    7、氣路系統(tǒng)采用多路質(zhì)量流量計(jì),配預(yù)混系統(tǒng)；

    8、真空系統(tǒng)采用機(jī)械泵，可選配擴(kuò)散泵或分子泵機(jī)組；

    9、控制系統(tǒng)采用10寸觸摸屏加西門子PLC模塊；

    10、氣體種類：N2、H2、CH4、C2H4D、He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6等

    11、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過PLC控制，通過PC實(shí)時(shí)控制和顯示相關(guān)的實(shí)驗(yàn)參數(shù)，自動(dòng)保存實(shí)驗(yàn)參數(shù)，也可采用手動(dòng)控制;

    12、系統(tǒng)采用集成化設(shè)計(jì)，控制系統(tǒng)、混氣罐、質(zhì)量流量計(jì)等均內(nèi)置在箱體內(nèi)部，占地面積小。整體安裝四個(gè)可移動(dòng)輪子，方便整體移動(dòng)。
     
    技術(shù)參數(shù)：
                                     

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