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日本Advance Riko 電弧等離子體沉積系統(tǒng)APD
產(chǎn)品品牌
日本Advance
庫(kù) 存：
1
產(chǎn) 地：
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日本Advance Riko 電弧等離子體沉積系統(tǒng)APD
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| 詳細(xì)介紹 |
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電弧等離子體沉積系統(tǒng)
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| 日本Advance Riko 公司致力于電弧等離子體沉積系統(tǒng)（APD）利用脈沖電弧放電將電導(dǎo)材料離子化，產(chǎn)生高能離子并沉積在基底上，制備納米級(jí)薄膜鍍層或納米顆粒。 |
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電弧等離子體沉積系統(tǒng)利用通過(guò)控制脈沖能量，可以在1.5nm到6nm范圍內(nèi)精確控制納米顆粒直徑，活性好，產(chǎn)量高。多種靶材同時(shí)制備可生成新化合物。金屬/半導(dǎo)體制備同時(shí)控制腔體氣氛，可以產(chǎn)生氧化物和氮化物薄膜。高能量等離子體可以沉積碳和相關(guān)單質(zhì)體如非晶碳，納米鉆石，碳納米管 形成新的納米顆粒催化劑。
主要應(yīng)用領(lǐng)域：
1、制備新金屬化合物，或制備氧化物和氮化物薄膜（氧氣和氮?dú)夥諊?br />
2、制備非晶碳，納米鉆石以及碳納米管的納米顆粒；
3、形成新的納米顆粒催化劑（廢氣催化劑，揮發(fā)性有機(jī)化合物分解催化劑，光催化劑，燃料電池電極催化劑，制氫催化劑）；
4、用熱電材料靶材制備熱電效應(yīng)薄膜。
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技術(shù)原理：
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1、在觸發(fā)電極上加載高電壓后，電容中的電荷充到陰極（靶材）上；
2、真空中的陽(yáng)極和陰極（靶材）間，電子形成了蠕緩放電，并產(chǎn)生放電回路，靶材被加熱并形成等離子體；
3、通過(guò)磁場(chǎng)控制等離子體照射到基底上，形成薄膜或納米顆粒。 |
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| 材料適用性： |
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APD適用于元素周期表中大部分高導(dǎo)電性金屬，合金以及半導(dǎo)體。所用原料為直徑10mmX17mm長(zhǎng)圓柱體或管狀體，且電阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表顯示了可制備的材料，綠色代表完全適用，黃色代表在一定條件下適用。
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| 設(shè)備特點(diǎn)： |
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1. 系統(tǒng)可以通過(guò)調(diào)節(jié)放電電容選擇納米顆粒直徑在1.5nm到6nm范圍內(nèi)。
2. 只要靶材是導(dǎo)電材料，系統(tǒng)就可以將其等離子體化。（電阻率小于0.01ohm.cm）。
3. 改變系統(tǒng)的氣氛氛圍，可以制備氧化物或氮化物。石墨在氫氣中放電能產(chǎn)生超納米微晶鉆石。
4. 用該系統(tǒng)制備的活性催化劑效果優(yōu)于濕法制備。
5. Model APD-P支持將納米顆粒做成粉末。Model APD-S適合在2英寸基片上制備均勻薄膜。 |
APD制備的Fe-Co納米顆粒的SEM和EDS圖譜
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| 系統(tǒng)參數(shù)： |
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1. 真空腔尺寸：400x400X300長(zhǎng)寬高
2. 抽空系統(tǒng)：分子泵450L/s
3. 電弧等離子體源:標(biāo)配一個(gè)，最多3個(gè)
4. 沉積氣壓：真空或者低氣壓氣體（N2， H2，O2，Ar）
5. 靶材：導(dǎo)電材料，外徑10mm，長(zhǎng)17mm
6. 靶材電阻率：小于0.01歐姆厘米
7. 電容：360uF X5 （可選）
8. 脈沖速度：1,2,3,4,5 Pulse/s
9. 操作界面：觸摸屏
10. 放電電壓：70V-400V （1800uF下最大150V）
APD-P 粉末容器：直徑95mm 高30mm
形成粉末的速度：13-20cc （隨顆粒尺寸和密度變化）
旋轉(zhuǎn)速度：1-50rpm
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| 設(shè)備對(duì)比： |
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