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精密表面處理的單晶片濕法蝕刻技術可實現(xiàn)多個工藝級別的均勻選擇性蝕刻,且絕無交叉污染。日常可獲得比 1% 更理想的蝕刻一致性。無論先進封裝還是 FEOL/BEOL 濕法蝕刻,WaterEtch™ 系統(tǒng)均可以最低的生產成本實現(xiàn)最高產量的工藝。在活性、背面和/或斜角區(qū)域需要蝕刻結構或薄膜時,WaferEtch 系統(tǒng)可提供久經驗證的技術解決方案。
TSV 露出器
作為 WaferEtch 平臺的旗艦產品,TSV 露出器進行了特別配置以滿足晶片薄化以露出互鎖裝置的工藝要求。這已成為 2.5D 和 3D-IC 封裝制造的關鍵步驟,能夠實現(xiàn)工藝控制并降低成本。TSV 露出器可取代干法蝕刻所需的四種工具:CMP、等離子蝕刻、硅厚度測量以及晶片清洗。蝕刻系統(tǒng)中的集成式厚度測量傳感器可對晶片蝕刻過程進行閉環(huán)控制。TSV 露出器實現(xiàn)了 CoO 的明顯減少,使 3D TSV 更加經濟可行。
金屬/UBM/RDL 蝕刻
金屬經過濕法蝕刻具有單晶片的精度和重復性,初始一致性通常低于 3%,然后優(yōu)化至晶片內和晶片間一致性均達到 1% 以上。精密表面處理的 WaferChek® 系統(tǒng)可提供原位自適應工藝控制,通過晶片的光學特性來管理濕法蝕刻工藝。
功能:
應用領域:
介電層蝕刻
功能:
應用領域:
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