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等離子體增強化學氣相沉積 鍍膜代加工

發(fā)表于:2019-10-24  作者:gdisit  關注度:518

      
設備名稱:等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)  /英國牛津儀器

用途:沉積SiO2、SiNX薄膜、不含H的SiNX薄膜、SiNOx薄膜

技術指標:
1. RF射頻源:高頻13.56MHz 功率0-300W;低頻50-460KHz 功率0-500W
2. 反應氣體:CF4/O2、N2、N2O、SiH4/N2、NH3
3. 樣品尺寸:43*2英寸、10*4英寸、4*6英寸
4. 下電極溫度:室溫-400℃可調(diào)
5. 鍍膜均勻性:<±3%

商家資料

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服務熱線

4001027270

功能和特性

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