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Exceptional high density plasma高密度等離子體
SI500D 具有優(yōu)良的等離子體特性，例如高密度，低離子能量，沉積介質(zhì)膜時(shí)低壓強(qiáng)等。
Planar ICP plasma source平板ICP等離子源
SENTECH專有的平板三螺旋天線（PTSA）等離子源能實(shí)現(xiàn)高效低功率耦合
Outstanding deposition properties 優(yōu)良的沉積特性
沉積的薄膜具有損傷少、擊穿電壓高、應(yīng)力低，對(duì)襯底無(wú)損傷，極低表面態(tài)密度，能低于100°C的沉積等優(yōu)良特性。
Dynamic temperature control 動(dòng)態(tài)溫控
襯底電極結(jié)合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進(jìn)行動(dòng)態(tài)溫控，能提供穩(wěn)定的工藝條件，溫度范圍為室溫至350 °C。
SI500D等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)可以進(jìn)行介質(zhì)膜、α-硅、SiC和其他材料的沉積。

SI500D具有PTSA等離子源、分開(kāi)式反應(yīng)氣體進(jìn)氣系統(tǒng)，動(dòng)態(tài)襯底電極溫控，全面控制真空系統(tǒng)，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)控制總線技術(shù)的SENTECH控制軟件，以及友好用戶操作界面來(lái)操作。
SI500D可以在最大尺寸為200mm的多種晶圓片上的進(jìn)行沉積。單片真空裝片裝置保證了工藝條件穩(wěn)定性，同時(shí)允許工藝的靈活切換。
SI 500D型PECVD設(shè)備適用于室溫至350℃條件下進(jìn)行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)或氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機(jī)材料上高效保護(hù)層膜和特定溫度下無(wú)損傷鈍化膜的沉積。
SENTECH面向高靈活性和高產(chǎn)能刻蝕和沉積系統(tǒng)提供各種級(jí)別的自動(dòng)化裝置，從真空裝片系統(tǒng)到最大6端口的工藝腔室裝置。SI500同樣可以作為多腔室配置中的一個(gè)工藝模塊。

ICPECVD（ICP-PECVD）電感耦合增強(qiáng)型等離子沉積系統(tǒng)

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