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    供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD設(shè)備） 非標(biāo)定制

    庫(kù)       存：

    999

    產(chǎn)       地：

    全國(guó)

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價(jià)       格：

    面議
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     等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD設(shè)備）主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長(zhǎng)；采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。

     

     

    設(shè)備用途和功能特點(diǎn)

    1、該設(shè)備是高真空單頻或雙頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD薄膜設(shè)備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。

    2、設(shè)備保護(hù)功能強(qiáng)，具備真空系統(tǒng)檢測(cè)與保護(hù)、水壓檢測(cè)與保護(hù)、相序檢測(cè)與保護(hù)、溫度檢測(cè)與保護(hù)。

    3、配置尾氣處理裝置。

     

    設(shè)備安全性設(shè)計(jì)

    1、電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)

    2、設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能

    3、溫度檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

    4、冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測(cè)和流量檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

     

    設(shè)備技術(shù)指標(biāo)

     

     樣片尺寸  ≤φ6英寸（或3片2英寸）

     樣片加熱臺(tái)加熱溫度  室溫～ 600℃±0.1℃

     真空室極限真空  ≤7×10-5Pa

     工作背景真空  ≤8×10-4Pa

     設(shè)備總體漏放率  停泵12小時(shí)后，真空度≤10Pa

     樣品、電極間距  5mm ～ 50mm在線可調(diào)

     工作控制壓強(qiáng)  10Pa ～ 1500Pa

     氣體控制回路  根據(jù)工藝要求配置

     單頻電源的頻率  13.56MHz

     雙頻電源的頻率  13.56MHz/400KHz

     

    工作條件

     

     供電  三相五線制 AC 380V

     工作環(huán)境溫度  10℃～ 40℃

     氣體閥門(mén)供氣壓力  0.5MPa ～ 0.7MPa

     質(zhì)量流量控制器輸入壓力  0.05MPa ～ 0.2MPa

     冷卻水循環(huán)量  0.6m3/h 水溫18℃～ 25℃

     設(shè)備總功率  7kW

     設(shè)備占地面積  2.0m ～ 2.0m

     

    PECVD及太陽(yáng)能薄膜電池設(shè)備


    1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7

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