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高溫退火爐應(yīng)用領(lǐng)域用于SiC、GaN等的高溫活化退火等工藝

產(chǎn)品名稱：高溫退火爐
應(yīng)用領(lǐng)域：用于SiC、GaN等的高溫活化退火等工藝
關(guān) 鍵字：高溫退火爐、SiC高溫退火爐、碳化硅高溫退火爐
產(chǎn)品咨詢電話：4008-110044
產(chǎn)品詳細(xì)描述：

工藝：用于SiC、GaN等的高溫活化退火等工藝
晶圓規(guī)格：2”4”6”SiC、GaN等晶圓
設(shè)備結(jié)構(gòu)：水平/垂直
工藝溫度：1850/2000℃
爐體溫度：可達(dá)2000℃或更高
生產(chǎn)能力：研發(fā)型/小批量，生產(chǎn)型
設(shè)備特點：
優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計占地面積小
靈活多樣的工藝調(diào)整
半自動/全自動的選擇
快速的升降溫：如200℃/min
極限真空 1 Pa
壓力控制：如100 Pa至300Pa(或其他要求)
多種的裝片方式

極方便的操作、維護(hù)方式
極低維護(hù)使用成本
極高的可靠性

終生的技術(shù)支持！

青島精誠華旗微電子設(shè)備有限公司(青島華旗科技有限公司，建于1993年)，為專業(yè)半導(dǎo)體工藝設(shè)備及先進(jìn)材料專用設(shè)備研發(fā)制造廠家。致力于為半導(dǎo)體集成IC電路分立器件、MEMS、太陽能電池、半導(dǎo)體照明LED及磁性材料廠家提供先進(jìn)的專用設(shè)備，工藝涵蓋化合物半導(dǎo)體晶體生長（及提純、合成等）、外延、薄膜淀積（氮化硅、氧化硅、多晶硅等）、氧化擴(kuò)散（包括退火合金含工藝及快速退火工藝等）、真空燒結(jié)等工藝。半導(dǎo)體工藝設(shè)備覆蓋三代半導(dǎo)體材料--硅、砷化鎵、氮化鎵等，高性能磁性材料真空設(shè)備（釤鈷、釹鐵硼等）。同時承擔(dān)了部分國家863項目（如半導(dǎo)體白光照明GaN生長的HVPE設(shè)備等）及相關(guān)的國家重點項目等。
    青島精誠華旗（“華旗科技”）擁有十幾年的專業(yè)研發(fā)制造經(jīng)驗，產(chǎn)品服務(wù)廣泛應(yīng)用于行業(yè)內(nèi)的大專院校科研院所、半導(dǎo)體制造、高性能磁性材料制造的企業(yè)工廠等。
     青島精誠華旗（“華旗科技”）擁有精良的科研、設(shè)計、制造、服務(wù)團(tuán)隊，為中國電子專用設(shè)備協(xié)會、中國磁性材料與器件協(xié)會等多家協(xié)會會員單位，承接并出色完成了一系列國家重點項目的專用設(shè)備的設(shè)計制造。
    2006年通過GB/T19001-2008(ISO9001:2008)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。
青島華旗科技廠房

高溫退火爐應(yīng)用領(lǐng)域用于SiC、GaN等的高溫活化退火等工藝

應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

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