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多靶磁控濺射鍍膜機（PVD）沈陽金研

1、 設(shè)備用途：本設(shè)備為雙室立式結(jié)構(gòu)的超高真空對靶磁控濺射及離子束濺射鍍膜系統(tǒng)。設(shè)備用于各種金屬薄膜、半導體薄膜、介質(zhì)薄膜、超晶格薄膜、集成光學薄膜、多層薄膜和薄膜器件的制備。廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

2.技術(shù)數(shù)據(jù)：

極限真空度（分子泵系統(tǒng)）	樣品室	≤ 2.0×10^-1Pa	漏氣率	≦ 5.0×10-8 Pa•L/s
	濺射室	≤　8.0×10^-5Pa
設(shè)備支持的濺射模式	直流濺射/射頻濺射；直流及射頻反應濺射；單靶濺射/多靶共濺射		濺射不均勻性	≤±5%

2.1磁控濺射靶：
標準磁場磁控濺射靶3只
聚焦模式上置安裝，自上向下濺射成膜
每只靶均帶有可自動開閉的擋板
2.2設(shè)備支持的濺射模式包括：
直流濺射/射頻濺射
直流及射頻反應濺射
單靶濺射/多靶共濺射
2.3復合分子泵和離子濺射泵真空系統(tǒng)
2.4美國AE公司射頻電源及自動匹配器
2.5質(zhì)量流量控制器（Ar量程100sccm，O2量程30sccm）
2.6樣品臺自轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5～30rpm范圍內(nèi)可調(diào)
2.7樣品加熱溫度PID控制，自動測溫、控溫，多段控溫模式。
2.8采用PLC+工控機結(jié)合上位機軟件對系統(tǒng)進行控制。
2.9膜厚儀可選

3.技術(shù)規(guī)格： JS-PVD-1 ；JS-PVD-2

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