純化學(xué)拋光工藝
發(fā)表于:2015-02-24 作者:admin 關(guān)注度:496
紅外探測(cè)器是目前應(yīng)用最廣的紅外探測(cè)器之一,一直以來在紅外探測(cè)領(lǐng)域發(fā)揮著十分重要的作用。隨著HgCdTe紅外探測(cè)器性能指標(biāo)的不斷提高,對(duì)碲鎘汞器件的制備工藝要求也越來越高。其中碲鎘汞材料的拋光作為整個(gè)器件制備流程的開始,拋光效果會(huì)直接影響最終器件的性能。
通常采用的碲鎘汞材料拋光工藝為純化學(xué)機(jī)械拋光,拋光后會(huì)在碲鎘汞表面造成一定深度的損傷,之后的溴-乙醇腐蝕工藝只能減輕部分損傷,并且所得的表面凹凸不平,表面形態(tài)較差,影響最終器件的性能。
采用溴-甲醇拋光工藝來取代傳統(tǒng)的溴-乙醇腐蝕工藝,以降低直至消除拋光工藝所造成的損傷,經(jīng)過Ar+刻蝕呈現(xiàn)材料位錯(cuò)方法以及對(duì)材料進(jìn)行XRD測(cè)試,結(jié)果表明經(jīng)過溴-甲醇拋光工藝的HgCdTe材料中的損傷大大減小了,達(dá)到了預(yù)期效果。