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EBL光刻

發(fā)表于：2020-02-26  作者：ioptee01  關(guān)注度：657

 聯(lián)系方式：18951907529
為使用電子束在表面上制造圖樣的工藝，是光刻技術(shù)的延伸應(yīng)用，在半導(dǎo)體工業(yè)中被廣泛使用于研究下一代超大規(guī)模集成電路、Q器件、納米Fin-FET器件、同心圓繞射板及高功率HEMT器件的圖形制備。

設(shè)備型號為：ELIONIX-F125,可用于直徑200mm樣品（尺寸向下兼容）的制版和圖形轉(zhuǎn)移，可用于制備最小線寬為8nm的圖形，寫場拼接精度及套刻精度達到±10nm （100微米寫場）。

指標名稱

要求參數(shù)

燈絲類型

熱場發(fā)射

電子束形狀

高斯

加速電壓*

最高電壓不低于120 kV

最小線寬*

8nm

束流

5pA-100nA

最小束斑直徑*

1.7nm

束斑位置穩(wěn)定度

30nm / 1h

束流穩(wěn)定度

Within 0.5 % / 1h

寫場：

大于1mm (在100kV下)

電子束位置精度

20bit DAC

電子束掃描速度*

100MHz

曝光尺寸：*

X:210 mm, Y: 210 mm

最大樣品尺寸*

8寸圓晶

寫場拼接精度*

±10nm （100微米寫場）

套刻精度*

±10nm （100微米寫場）

移動臺精度*

0.3nm

樣品臺

不少于6個，滿足8寸及以下各種尺寸樣品

Beamer曝光處理軟件及服務(wù)器

包含

曝光機恒溫外部包圍

包含，可控制到室溫波動的1/10

曝光預(yù)對準組件

包含

曝光圖形光學(xué)鏡檢組件

包含

電子束膠恒溫顯影箱

包含

UPS

大于1小時

電磁屏蔽系統(tǒng)

包含

被動式減震系統(tǒng)

包含
1582706401(1)1582706422(1)

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