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SB-402雙面曝光機（光刻機）主要用于半導體光電器件、功率器件、傳感器、混合電路、微波器件及微電子機械系統(tǒng)（MEMS）等制作的雙面對準和曝光。最大兼容4英寸晶圓。

主要技術特點

對準工作臺：
高精度薄型精密雙層三維對準工作臺，采用交叉滾柱V形導軌副和θ向超薄軸承及中心滑塊結構，保證了工作臺的直線性和旋轉(zhuǎn)精度。
機械手機構：
機械手采用直線導軌和滾珠絲杠結構，具有高的定位精度和重復精度。
上版架系統(tǒng)：
上掩模版的升降導軌選用THK可調(diào)分離型直線導軌，驅(qū)動采用高分辨率的數(shù)顯微分頭，從而保證兩掩模版的重復精度和定位精度。
對準觀察系統(tǒng):
雙光路結構的臥式分離視場顯微鏡，可以獲取高清晰的圖像同時兼容CCD成像液晶顯示功能
電氣控制系統(tǒng)：
整機采用PLC+觸摸屏控制，提供運行狀態(tài)顯示及多種檢測功能，易于操作，控制精度高，性能穩(wěn)定。
曝光系統(tǒng)：
上、下兩套獨立的紫外光曝光系統(tǒng)，采用先進的結構方案，具有較高的光強、均勻性、光學分辨率。

詳細參數(shù)：
□對準工作臺指標:
X向行程：±4mm
Y向行程：±4mm
旋轉(zhuǎn)角θ向：±5°
基片尺寸：Maxφ4″
掩模尺寸：Max5″×5″
雙面對準精度：±0.003mm
□機械手機構指標；
機械手對下掩模分離間隙：0～100μm（當量1μm）
□曝光系統(tǒng)指標；
光源：250W超高壓汞燈
波長：UV365
最大曝光面積；φ110mm
曝光不均勻性：±3%
曝光分辨率：3μm（正膠）
汞燈冷卻：風冷
曝光時間：0～999s 檔量1s
□分離視場顯微鏡指標：
總倍率： 65X
視場：φ3.3mm
物鏡分離距離：26～70mm
□所需設施：
輸入電壓：～220V±22V（50HZ）
整機功率：1.5KW
室內(nèi)光線: 紅色、黃色
氮氣（N2）:0.2～0.4MPa
壓縮空氣:0.5～0.7MPa
真空 :－0.08～－0.1mPa
□體積及重量：
重量： 480㎏
外形尺寸:950㎜×850㎜×1500㎜

SB-402雙面曝光機

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